dram存儲器ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-02 14:02 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 周期分為兩部分 ——前一段時間進行正常讀 /寫；后一段時間作為集中刷新時間 ?優(yōu)點： 對存儲器的平均讀 /寫時間影響不大，適用于高速存儲器 ?缺點： 在集中刷新時間內(nèi)不能進行存取訪問 ——死時間 讀 /寫 /保持 刷新 tc tc 0 1 2 14975 0 1 1023 8ms 集中刷新方式 8ms分成 16000個 TC(=)，只需 1024個 TC進行刷新 分散刷新方式 ?分散式刷新 ：前先用刷新的行數(shù)對刷新周期進行分割，再將分割好的時間分為兩部分 ——前段時間用于讀 /寫，后一小段時間用于刷新 讀 /寫 8ms 刷新 讀 /寫 刷新 異步刷新方式 將 8ms分割成 1024個時間段，每段時間為8ms/1024=(取 )， 每隔 ，8ms內(nèi)完成對所有 1024行的一次刷新 21 四 刷新方式 例 3：有一個 16K 16的存儲器，用 1K 4位的 DRAM芯片 (內(nèi)部結構與 2114SRAM一致 )構成，設讀 /寫周期為 ,如單元刷新間隔不超過 2ms，問： 若采用集中式刷新方式 ，存儲器刷新一遍最少用多少讀 /寫周期？死時間率是多少？ 22 五 標準的刷新操作控制方式 ? 只用 信號刷新， 信號無動作，這種方法消耗的電流小，但是需要外部刷新地址計數(shù)器。 ? 在 之前刷新，利用 DRAM器件內(nèi)部具有的刷新地址計數(shù)器來產(chǎn)生。 RAS CASCAS RAS26 二 存儲器容量的擴展 ? 字擴展 ? 位擴展 ? 字位擴展 27 1 位擴展 通過擴大字長，增加容量。 使用 8K 1的 RAM芯片組成
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