主存儲器ppt課件(2)(編輯修改稿)
2025-06-01 22:03 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 c t c 3999 V W 0 1 127 讀 / 寫或維持 刷新 讀 / 寫或維持 3872 個周期 （ 1936 ?s） 128 個周期 （ 64 ?s） 刷新時間間隔 （ 2 m s ） 刷新序號 ??? ??? t c X t c Y ? ? ? ? ? ? 以 128 128 矩陣為例 29 tC = tM + tR 讀寫 刷新 ② 分散刷新 （ 存取周期為 1 ?s ） (存取周期為 ?s + ?s ) 以 128 128 矩陣為例 W/R REF 0 W/R t R t M t C REF 126 REF 127 REF W/R W/R W/R W/R 刷新間隔 128 個存取周期 … 30 ③ 分散刷新與集中刷新相結(jié)合（異步刷新） 對于 128 128 的存儲芯片 （ 存取周期為 ?s ） 若每隔 ?s 刷新一行 每行每隔 2 ms 刷新一次 W / R W / R W / R W / R W / R W / R W / R W / RR E F R E FtCμ s0 . 5μ s0 . 5μ s0 . 5tC1 5 . 6 μ s 1 5 . 6 μ s31 (4) 動態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較 DRAM SRAM 存儲原理 集成度 芯片引腳 功耗 價格 速度 刷新 電容 觸發(fā)器 高 低 少 多 小 大 低 高 慢 快 有 無 主存 緩存 32 非易失性半導體存儲器 1. 只讀存儲器 (ROM) 2. 可編程序的只讀存儲器 (PROM) 3. 可擦可編程序的只讀存儲器 (EPROM) 4. 可電擦可編程序只讀存儲器 (E2PROM) 5. 快擦除讀寫存儲器 (Flash Memory) 33 表 列出幾種存儲器的主要應用 存儲器 應 用 SRAM cache DRAM 計算機主存儲器 ROM 固定程序，微程序控制存儲器 PROM 用戶自編程序。用于工業(yè)控制機或電器中 EPROM 用戶編寫并可修改程序或產(chǎn)品試制階段試編程序 E2PROM IC卡上存儲信息 Flash Memory 固態(tài)盤， IC卡 DRAM的研制與發(fā)展 34 半導體存儲器的組成與控制 1. 存儲器容量擴展 用 1K 4位 存儲芯片組成 1K 8位 的存儲器 ？片 (1) 位擴展 （增加存儲字長） 10根地址線 8根數(shù)據(jù)線 D D … … D 0 4 7 9 A A 0 ??? 2114 2114 CS WE 2片 35 用 2片 16K*4位的存儲芯片組成 16K*8位的存儲器 圖 位擴展連接方式 36 (2) 字擴展（增加存儲字的數(shù)量） 用 1K 8位 存儲芯片組成 2K 8位 的存儲器 11根地址線 8根數(shù)據(jù)線 ？片 2片 1K 8位 1K 8位 D7 D0 ??? ??? ??? ??? ??? WE A1 A0 ??? A9 CS0 A10 1 CS1 37 用 4片 16K*8位組成 64K*8位的存儲器 圖 字擴展連接方式 38 (3) 字、位擴展 用 1K 4位 存儲芯片組成 4K 8位 的存儲器 8根數(shù)據(jù)線 12根地址線 WE A8 A9 A0 ... D7 D0 … A11 A10 CS0 CS1 CS2 CS3 片選 譯碼 … … … … … … … … 1K 4 1K 4 1K 4 1K 4 1K 4 1K 4 1K 4 1K 4 ？片 8片 39 用 8片
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