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正文內(nèi)容

mos存儲(chǔ)器系統(tǒng)ppt課件(編輯修改稿)

2025-05-25 22:22 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 的縱向結(jié)構(gòu)圖,試畫出其電路原理圖,分析其功能,并畫出真值表。 ? 二輸入端與非門及真值表 V1 V2 VO 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 2 如圖為一個(gè) CMOS的數(shù)字器件的縱向結(jié)構(gòu)圖,試畫出其電路原理圖,分析其功能,并畫出真值表。 ? 二輸入端或非門電路圖及真值表 V1 V2 VO 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器電路 ? ( 1) RAM ? 靜態(tài) RAM( SRAM)和動(dòng)態(tài) RAM( DRAM) ? ( 2) ROM ? 掩膜編程 ROM ? PROM ? EPROM ? E2PROM ? FLASH 、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器( RAM) (1)靜態(tài) RAM( SRAM) ? 雙極型 SRAM ? 靜態(tài) MOSRAM ( 2)動(dòng)態(tài) RAM( DRAM) ? VCC通常接地 ? 寫入信息時(shí)字線加高壓,信息從位線寫入 ? 讀出信息時(shí)字線加高壓,信息從位線讀出 ? 由于電子會(huì)泄露,需要?jiǎng)討B(tài)刷新,可以做成高容量 RAM 掩膜編程 ROM ? 掩膜編程的 ROM可以通過(guò)接觸孔的掩膜版來(lái)編程,也可以通過(guò)“存在”或“不存在”柵開啟MOS管,或利用離子注入方法使
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