mos存儲(chǔ)器ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 04:15 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 極板 ,Cs↑ p字 線S i O 2位 線N +S i O 2公 共 電 容極 板N +C sBW公 共C sC s C s C s C sC sE QV D DS ELL 1 L 0 R 0 R 1RS EB L R偽 單 元靈 敏 放 大 器偽 單 元B L L （ 1）靈敏放大器 由交叉耦合的 CMOS反相器構(gòu)成，接在每一列的中間。EQ=1，先將 BLL和 BLR左右兩條位線預(yù)充到 ， 使觸發(fā)器處在亞穩(wěn)點(diǎn)，然后 EQ=0. /2DDV 讀寫時(shí)位線上會(huì)出現(xiàn) ，當(dāng) 足夠大時(shí)， SE=1，靈敏放大器工作，觸發(fā)器將根據(jù) 的情況，進(jìn)入一個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)（ 0或 1）。由于是正反饋，轉(zhuǎn)變非常迅速。 特點(diǎn)： 簡(jiǎn)單，快速。輸入端和輸出端是合在一起的，放大 后的信號(hào)仍作用于位線上，可以對(duì)單元進(jìn)行刷新，這是單管單元?jiǎng)討B(tài)存儲(chǔ)器必需的。 V? V?V?（ 2）偽單元（ dummy cell） 存儲(chǔ)單元是單端結(jié)構(gòu)，為了變成雙端差分式，要在靈敏放大器的左右兩端各增加一個(gè)偽單元，與正式單元完全一樣。 作用：（ 1）提供參考電壓 。 （ 2）減少或者補(bǔ)償各種干擾，防止兩側(cè)不相等的電位漂移和時(shí)鐘脈沖引起的耦合干擾，提高放大器靈敏度。 C sC s C s C s C sC sE QV D DS ELL 1 L 0 R 0 R 1RS EB L R偽 單 元靈 敏 放 大 器偽 單 元B L L工作原理： EQ=1時(shí)， BLL和 BLR被預(yù)充到 ，同時(shí) L=R=1,把偽單元也預(yù)充到 。在讀操作時(shí)，假如陣列左邊一個(gè)單元被選中， BLL將變化△ V，這同時(shí) R=1，使右邊的偽單元選擇而給出參考電壓， BLR= ，當(dāng) BLL高于 時(shí)，輸出為‘ 1’，否則為‘ 0’。保證了放大器工作可靠。 討論： （ 1）將位線一分為二減小了位線的電容值，增加了電荷轉(zhuǎn)移比 。 （ 2）二邊完全對(duì)稱非常重要。 /2DDV/2DDV/2DDVC sC s C s C s C s
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