mos存儲器ppt課件(存儲版)
【正文】 O(lastin firstout )。 作用：（ 1）提供參考電壓 。 負(fù)載可以是 R，飽和 E/E，非飽和 E/E， PMOS(CMOS)。 V D DWBT 2T 1負(fù) 載T 4T 3B負(fù) 載Q QBCMOS靜態(tài)存貯單元圖形 五、 EPROM ? (1)浮柵晶體管 (floatinggate transistor) n + n +源漏控 制 柵浮 柵S i O2控 制 柵ＤＳp S i 特點(diǎn)： ? 1 在普通 MOS管的柵與溝道之間插一多晶硅層，它與 ? 誰也不連接，稱為浮柵 ? 2 因?yàn)橛懈牛鐚?dǎo) ↓， VT ↑（相比普通 MOS管） ? 3 VT可以改變，即可以編程。 ? 強(qiáng)紫外光的光子能量為 ，超過了 SiO2和之間的勢壘高度。 ? 缺點(diǎn)： VT的控制難： VT不僅取決于浮柵上初始負(fù)電荷的數(shù)目，也取決于移走了多少負(fù)電荷。這時隧道效應(yīng)起作用，電子從浮柵到源。編程時，使浮柵 MOS管 VTVDD，擦除后，VTVDD，相當(dāng)于常規(guī) MOS 管的源接地。 六、 E2PROM ? 是浮柵晶體管的改進(jìn)型：浮柵上有一延長區(qū)，它與漏之間的 SiO2厚度只有 10nm左右 (浮柵是幾十～100nm)。為了使 MOS管導(dǎo)通，需要加更高的電壓克服浮柵上的負(fù)電荷的影響。 CMOS的優(yōu)點(diǎn)是功耗小。保證了放大器工作可靠。由于是正反饋，轉(zhuǎn)變非常迅速。 MOS存儲器 一．存儲器的分類 ROM（ read only memory） (1).固定式只讀存儲器（掩膜編程 ROM）（ mask programmed ROM） 。 特點(diǎn)： 簡單，快速。 討論： （ 1）將位線一分為二減小了位線的電容值，增加了電荷轉(zhuǎn)移比 。 ? 寫數(shù)據(jù)時，首先把數(shù)據(jù)傳給位線，然后 W=1，數(shù)據(jù)就寫入了。 n + n +源漏控 制 柵浮 柵S i O2控 制 柵ＤＳp S i? (2)EPROM工作原理 ? 編程后的 MOS管 VGS=5V時已不能開啟 (VGS7V)，等效為關(guān)斷，即字線和位線的交叉處不存在 MOS管 (狀態(tài) 1)。當(dāng)柵 漏加上 10V電壓時， E=109v/m，電子會由于遂道效應(yīng)穿過氧化層到達(dá)浮柵。 ? 優(yōu)點(diǎn)：擦寫次數(shù)多，使用方便 ? 缺點(diǎn)：單元有 2個 MOS管，有浮柵延長區(qū)
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