7)半導(dǎo)體存儲器(編輯修改稿)
2025-10-23 01:41 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 SIMOS型 EPROM 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 2) 電可擦除可編程的只讀存儲器 EEPROM(Electrically Erasable PROM) 圖 EPPROM存儲單元結(jié)構(gòu)示意圖 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 4. 典型的 EPROM芯片 圖 EPROM 2764引線圖 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 5. 典型的 EEPROM芯片 圖 NMC98C64A引線圖 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 快速擦除讀 /寫存儲器 1. Flash Memory存儲單元的結(jié)構(gòu)和工作原理 Flash Memory是在 EPROM與 EEPROM基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，它與 EPROM一樣，用單管來存儲一位信息，與 EEPROM相同之處是用電來擦除。但是它只能擦除一個區(qū)域或整個器件，快速擦除讀寫存儲單元的擦除原理圖如圖 。 圖 Flash Memory 存儲單元結(jié)構(gòu) 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 2. 典型的閃存芯片 TMS287040(16 32KB) 1) TMS28F040的引線 圖 TMS28F040的外部引線圖 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 2) TMS28F040的工作過程 28F040與普通 EEPROM芯片一樣也有 3種工作方式，即讀出、編程寫入和擦除。但也有所不同， TMS28F040是通過向內(nèi)部狀態(tài)寄存器寫入命令的方法來控制芯片的工作方式，對芯片所有的操作必須要先往狀態(tài)寄存器中寫入命令。 表 73 TMS28F040狀態(tài)寄存器各位的含意 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 存儲器的擴展 任何存儲芯片的存儲容量都是有限的。要構(gòu)成一定容量的內(nèi)存，往往單個芯片不能滿足字長或存儲單元個數(shù)的要求，甚至字長和存儲單元數(shù)都不能滿足要求。這時，就需要用多個存儲芯片進行組合，以滿足對存儲容量的需求，這種組合就稱為存儲器的擴展。存儲器擴展時要解決的問題主要包括位擴展、字擴展和字位擴展。 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 存儲容量的位擴展 圖 用 4K 4位的 SRAM芯片進行位擴展以構(gòu)成容量為 4KB 的存儲器 Flash Memory存儲單元結(jié)構(gòu) 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 【 例 】 用 Intel 2164芯片構(gòu)成容量為 64KB的存儲器。 解：因為 Intel 2164是 64K 1位的芯片，其存儲單元數(shù)也是64K，已滿足要求。 64K＝ 216，故只需 16根地址線(A15～ A0)對各芯片內(nèi)的存儲單元尋址。 Intel 2164字長不夠，每一塊芯片只有 1位數(shù)據(jù)，所以需要 8片這樣的芯片，將它們的數(shù)據(jù)線分別與 CPU數(shù)據(jù)總線 D7～ D0的相應(yīng)位相連，將每個存儲芯片的地址線、選片信號線和讀 /寫信號線全部與 CPU的相應(yīng)地址線、請求信號線、讀 /寫控制信號線進行連接，線路連接如圖 。這樣就用 8片Intel 2164芯片進行位擴展構(gòu)成了容量為 64KB的存儲器。 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 圖 用 64K 1位的進行位擴展構(gòu)成容量為 64KB的存儲器 Memory存儲單元結(jié)構(gòu) 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 存儲容量的字擴展 【 例 】 用 16K 8位的存儲器芯片組成 64K 8位的內(nèi)存儲器。在這里，字長已滿足要求，只是容量不夠，所以需要進行的是字擴展，顯然，對現(xiàn)有的 16K 8位芯片存儲器，需要用 4片來實現(xiàn) 64K 8位的內(nèi)存儲器。 圖 字擴展連接示意圖 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù) 圖 字擴展連接示意圖 第 7章 半導(dǎo)體存儲器 微機原理與接口技術(shù)
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