半導(dǎo)體磁阻效應(yīng)ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-08 03:10 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 區(qū)：隨著 T的升高，又分為三段u 本征區(qū)：l n型半導(dǎo)體u 飽和區(qū)：載流子主要由雜質(zhì)電離貢獻(xiàn)，即 此時有u 本征區(qū)：隨著 T的升高， 逐漸變大， 且 逐漸變小。l 測定載流子的濃度和遷移率216。 n型和 p型半導(dǎo)體的霍爾電場方向相反，故霍爾系數(shù)的符號是相反的，由此可以來判斷半導(dǎo)體的類型；通過測得的 RH 與可以求得載流子的濃度；在測出電導(dǎo)，可以得到霍爾遷移率。216。 根據(jù)電導(dǎo)和載流子濃度的測量結(jié)果，與理論計算的結(jié)果比較，可以會的帶隙寬度、雜質(zhì)電離能和雜質(zhì)濃度等信息。Bzdb VHIlzyx+ _l 制作霍爾器件? 選用遷移率高的半導(dǎo)體材料，在同樣電場作用下，漂移速度大，加磁場后載流子受到的洛倫磁力大，霍耳效應(yīng)明顯。? 常選用銻化銦 、砷化銦 、鍺 作霍爾器件。? 霍爾 廣泛用于電磁測量、壓力、加速度、振動等方面的測量，頻率響應(yīng)寬，壽命長，可靠性高。 ? 物理磁阻效應(yīng)? 幾何磁阻效應(yīng)? 磁阻效應(yīng)的應(yīng)用? 由于磁場的存在引起電阻的增加，稱這種效應(yīng)為磁阻效應(yīng)。? 以下我們只討論橫向磁阻效應(yīng) 按電磁場的關(guān)系分類 縱向磁阻效應(yīng)： B//E，磁阻變化小，不產(chǎn)生霍爾電場 VH 橫向磁阻效應(yīng)： B?E，磁阻變化明顯，產(chǎn)生VH 由于電阻率 ?變化引起的 R變化 物理磁阻效應(yīng) 由于幾何尺寸 l/s的變化引起的 R變化 幾何磁阻效應(yīng) 按機理分類 如圖，若不計及載流子的速度分布，則穩(wěn)定時全部載流子以 Vx的速度沿電場方向運動，則沒有表現(xiàn)出橫向磁阻效應(yīng)。 若計及載流子的速度分布，則當(dāng)載流子速度 V大于或者小于 Vx時，速度會橫向分量，因此受到受到散射的概率變大，導(dǎo)致垂直方向的電流變小，因此產(chǎn)生了橫向磁阻效應(yīng)。Ex vxfqEyV＜ VxV＞ VxBzEy空穴在磁場作用下的運動類比：質(zhì)譜儀...... ................. ............... ........... .................. +速度選擇器照相底片質(zhì)譜儀的示意圖B’通常用電阻率的相對改變來形容磁阻，則磁阻的大小為：當(dāng)磁場不太強時，即 時，對于等能面為球面的非簡并半導(dǎo)體，一種載流子導(dǎo)電時，可以得到 :其中 為橫向磁阻系數(shù)，同載流子平均自由程的分布情況有關(guān)其值為對于長聲學(xué)
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