素半導體材料ppt課件(編輯修改稿)
2025-06-01 03:55 本頁面
【文章內容簡介】 NB(cm3)摻 B濃度為 NB時， p型單晶 Si電阻率 ρ為： ? ?? ?7 3 1716????????BBB NNN?9 0 .02 .0 x 1 0184 .0 x 1 0186 .0 x 1 0188 .0 x 1 0181 .0 x 1 0190 .00 .20 .40 .60 .81 .0?(??cm)NP(cm3)摻 P濃度為 NP時， n型單晶 Si電阻率 ρ為： ZPN10102 4 18 ???? ? ?16lg0 1 8 3 7 9 8 3 8 1 5 0 5 7 5 0 2 2 7 1 0 7 6 3232?????????PNyyyyyyyz10 11 12 Si中的雜質 n型摻雜劑 —— P、 As、 Sb p型摻雜劑 —— B 輕元素雜質 —— O、 C、 N、 H 金屬雜質 —— Fe、 Cu、 Ni等 13 14 15 16 Si中的缺陷 (1).原生缺陷 —— 本征缺陷 空位和自間隙； (2).二次缺陷 —— 工藝誘生缺陷 (3).外延材料中的缺陷 位錯、外延堆垛層錯、微缺陷（霧狀）、棱錐 半導體單晶中的缺陷 位錯：一方面，吸引其周圍點缺陷，增加少子壽命
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鄂ICP備17016276號-1