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正文內(nèi)容

半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)ppt課件(編輯修改稿)

2025-06-02 12:45 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 6) Jn、 Jp大小對(duì)比分析 1)電流模型:主要由擴(kuò)散機(jī)制決定 特征:勢(shì)壘尖峰低于 p區(qū)的 EC 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 高勢(shì)壘尖峰(正反向勢(shì)壘異質(zhì)結(jié))的 IV特性 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 突變異質(zhì)結(jié)的 IV特性 1)電流模型:由熱電子發(fā)射機(jī)制決定 2)勢(shì)壘高度 特征:勢(shì)壘尖峰高于 p區(qū)的 EC 3)電流密度 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì) pn結(jié)的注入特性 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 pn結(jié)的高注入比特性及其應(yīng)用 例如, pGaAs(窄禁帶) /(寬禁帶), ΔEg =,設(shè) p區(qū)摻雜濃度 NA1=2X1019cm3, n區(qū)摻雜濃度 ND2=5X1017cm3,則 210e x p 8 0gn DpAEJ NJ N k T??注入比 0 . 9 9nnpJJJ? ???發(fā)射效率 同質(zhì)結(jié)的 BJT:基區(qū)不能太薄,頻率特性不高; 異質(zhì)結(jié)的 HBT:基區(qū)可以很薄,頻率特性很高; 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 思考題 ? 試分析高勢(shì)壘尖峰異質(zhì)結(jié)的反向 IV特性。 ? 為什么 HBT的頻率特性比 BJT好? 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 pn結(jié)的高注入比特性及其應(yīng)用 異質(zhì)結(jié)的應(yīng)用 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管( Heterojunctiong Bipolar Transistor, HBT),應(yīng)用 于微波、毫米波領(lǐng)域。 早期的 HBT: nAlxGa1xAs/pGaAs作發(fā)射結(jié); 優(yōu)良的 HBT: , GaAs襯底; ΔEv =ΔEc =,即空穴的勢(shì)壘高, Jp小,故注入比和 γ 高; fT=100GHz。 SiGe HBT: nSi/pSi1xGex作發(fā)射結(jié), Si襯底; Eg,Si1xGex隨組 分 x的增大而減小,且 ΔEv ΔEc ; 典型的基區(qū)組分 : ,厚度 50nm100nm; 主要應(yīng)用于通信系統(tǒng)及手機(jī)。 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 pn結(jié)的超注入現(xiàn)象 異質(zhì) pn結(jié)的注入特性 1)超注入現(xiàn)象:由寬禁帶半導(dǎo)體 注入到窄禁帶半導(dǎo)體中的少子濃度 超過(guò)了寬禁帶半導(dǎo)體中多子濃度。 2)能帶結(jié)構(gòu):外加足夠的正向電壓 使結(jié)勢(shì)壘拉平, Ec2Ec1 3)載流子濃度: n1/n2=exp(Ec2Ec1)/kT1 4)應(yīng)用:半導(dǎo)體激光
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