【總結】中國科學技術大學物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices1半導體器件原理TheoryofSemiconductorDevices聯(lián)系方式中國科學技術大學物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices2前言半導體器件進展中國科學技術大學物理系
2025-04-13 23:58
【總結】信息學院電子與控制工程系主講人:王彩紅電話:18623717611辦公室:6507E-mail:—多媒體教學課件模擬電子技術基礎FundamentalsofAnalogElectronics華成英、童詩白主編
2025-05-03 22:33
【總結】第一章半導體材料(一)信息功能材料第一章半導體材料?半導體的基本特性、結構與類型?半導體的導電機構?半導體材料中的雜質和缺陷?典型半導體材料的應用和器件內容:重點:?半導體的電子結構和能帶?典型半導體的應用引言導體半導體絕緣體導電性劃分結晶半導體元素半導體非結晶半導體半導體有機半導體
2025-05-03 18:11
【總結】中國科學技術大學物理系微電子專業(yè)2022/6/1TheoryofSemiconductorDevices1第六章:新型半導體器件§現(xiàn)代MOS器件§納米器件§微波器件§光電子器件§量子器件中國科學技術大學物理系微電子專業(yè)202
2025-05-04 22:05
【總結】LogoIntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝簡介LogoIntroductionofICAssemblyProcess一、概念半導體芯片封裝是指利用膜技術及細微加工技術,將芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘貼固定及連接,引出接線端子并通過可塑性絕緣介質灌封固
2025-05-07 12:40
【總結】模擬電子技術基礎童詩白華成英主編第一章常用半導體器件?半導體的基礎知識?半導體二極管?雙極型晶體管?場效應管?單結晶體管和晶閘管?集成電路中的元件?本征半導體?雜質半導體?PN結半導體基礎知識第一
2025-01-19 03:13
【總結】第十二章半導體磁效應霍爾效應磁阻效應磁光效應量子霍爾效應?一種載流子的霍爾效應?載流子在電磁場中的運動?兩種載流子的霍爾效應?霍爾效應的應用?1879年,霍爾()在研究通有電流的導體在磁場中受力的情況時,發(fā)現(xiàn)在垂直于磁場和電流的方向上產生了電動勢,這個電磁效應稱為“霍爾效應”?1980年,德國物理學家馮·克利青發(fā)現(xiàn)
2025-05-12 03:10
【總結】內容:?黑體輻射與能量量子化的假設?光電效應?康普頓效應?氫原子光譜與玻爾的氫原子理論?微觀粒子的波粒二象性?測不準關系?薛定鄂方程?無限深勢阱中的粒子?激光原理?晶體點陣及電子波在周期勢場中的傳播應用Atoms(原子核)(外層電子、價帶電子)(激發(fā)態(tài)電子)Moretha
2025-05-05 18:14
【總結】半導體催化劑屬于半導體催化劑類型:?過渡金屬氧化物:ZnO,NiO,WO3,Cr2O3,MnO2,MoO3.V2O5,F(xiàn)e3O4,CuO等;?過渡金屬復合氧化物:V2O5—MoO3,MoO3-Bi2O3等;?某些硫化物如MoS2,CoS2等半導體催化劑特點?半導體催化劑特點是能加速以
2025-05-05 18:27
【總結】第1章半導體器件基礎半導體三極管3AX813AX13DG43AD10(a)(b)(c)(d)圖1-28幾種半導體三極管的外形第1章半導體器件基礎三極管的結構及類型圖1–29三極管的結構示意圖和符號
2025-05-06 12:44
【總結】Chapter15.量子物理§半導體P.1/29§半導體
2025-05-06 12:45
【總結】第八章發(fā)光二極管和半導體激光器●輻射復合與非輻射●LED的基本結構和工作過程●LED的特性參數(shù)發(fā)光二極管和半導體激光器-五族化合物中觀察到輻射復合PN結發(fā)光1962年砷化鎵發(fā)光二極管和激光器研制成功1970年砷化鎵-鋁鎵砷激光器實現(xiàn)室溫連續(xù)引言發(fā)光二極管和半導體激光器
2025-05-06 12:46
【總結】電子元器件知識入門課-半導體元器件內部培訓資料m課程目錄1電子元器件簡介和分類2阻容元件3電感元件和變壓器4開關5繼電器6半導體元器件7電聲器件8發(fā)光顯示元器件9保險元件10石英晶體和陶瓷元器件11
2025-05-06 12:43
【總結】第1章半導體器件第1章半導體器件第1節(jié)半導體基礎第2節(jié)半導體二極管第3節(jié)穩(wěn)壓二極管第4節(jié)晶體三極管第5節(jié)場效應管第1章
【總結】13元素半導體材料目前發(fā)現(xiàn)的元素半導體材料:Si、Ge、C(金剛石)、Se、α-Sn(灰錫)、P(磷)、Te(碲)、B;硅1824年,別爾澤留斯(BerzeliusJ.J.)——非晶Si;Si在地殼中的豐度為%,僅次于氧。三種同位素:28Si(%)
2025-05-05 03:55