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半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)ppt課件-在線瀏覽

2025-06-23 12:45本頁面
  

【正文】 g 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 漸變異質(zhì)結(jié)能帶圖 1)漸變的物理含義 異質(zhì)結(jié)的能帶圖 2)漸變異質(zhì)結(jié)的近似分析: 能帶的疊加 3)漸變能級 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 勢壘區(qū)寬度 XD 突變反型異質(zhì)結(jié)的接觸勢壘差及勢壘區(qū)寬度 接觸電勢差 VD 外加電壓 V np突變異質(zhì)結(jié) (以 pn異質(zhì)結(jié)為例) 與求解同質(zhì) pn結(jié)相同: 由求解界面兩邊勢壘區(qū)的泊松方程,可得 VD及 XD 推導(dǎo)過程參考劉恩科等著 《 半導(dǎo)體物理 》 第 9章 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 第三章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié) ? 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 ? 量子阱與二維電子氣 ? 多量子阱與超晶格 ? 半導(dǎo)體應(yīng)變異質(zhì)結(jié) 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 突變異質(zhì)結(jié)的 IV特性 (a) (b) 圖 異型異質(zhì)結(jié)的兩種勢壘示意圖 ( a)負(fù)反向勢壘;( b)正反向勢壘 突變異質(zhì)結(jié) IV模型:擴(kuò)散模型、發(fā)射模型、發(fā)射 復(fù)合模型、隧道模型、隧道復(fù)合模型。 ? 為什么 HBT的頻率特性比 BJT好? 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 pn結(jié)的高注入比特性及其應(yīng)用 異質(zhì)結(jié)的應(yīng)用 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管( Heterojunctiong Bipolar Transistor, HBT),應(yīng)用 于微波、毫米波領(lǐng)域。 SiGe HBT: nSi/pSi1xGex作發(fā)射結(jié), Si襯底; Eg,Si1xGex隨組 分 x的增大而減小,且 ΔEv ΔEc ; 典型的基區(qū)組分 : ,厚度 50nm100nm; 主要應(yīng)用于通信系統(tǒng)及手機(jī)。 2)能帶結(jié)構(gòu):外加足夠的正向電壓 使結(jié)勢壘拉平, Ec2Ec1 3)載流子濃度: n1/n2=exp(Ec2Ec1)/kT1 4)應(yīng)用:半導(dǎo)體激光器 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 第三章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié) ? 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 ? 量子阱與二維電子氣 ? 多量子阱與超晶格 ? 半導(dǎo)體應(yīng)變異質(zhì)結(jié) 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 量子阱與二維電子氣 (a) (b) 圖 半導(dǎo)體
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