半導(dǎo)體元件zxmppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-12 06:37本頁(yè)面
【正文】 基區(qū)擴(kuò)散電子，形成發(fā)射極電流 IE。 返回 電流分配和放大原理 2 電子在基區(qū)中的擴(kuò)散與復(fù)合，形成基極電流 IB E區(qū)電子到基區(qū) B后，有兩種運(yùn)動(dòng) 擴(kuò)散 IEC 復(fù)合 IEB 同時(shí)基區(qū)中的電子被 EB拉走形成 IB IEB=IB時(shí)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡 形成穩(wěn)定的基極電流 IB IB是由復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成的 返回 電流分配和放大原理 3 集電極收集電子，形成集電極電流 IC 集電結(jié)反偏 阻礙 C區(qū)中的多子（自由電子）擴(kuò)散，同時(shí)收集 E區(qū)擴(kuò)散過來的電子 有助于少子的漂移運(yùn)動(dòng)，有反向飽和電流 ICBO 形成集電極電流 IC 返回 RB EC + + _ _ EB E B C IC IB IE ICBO IBE IEC 電流分配和放大原理 返回 特性曲線 用來表示該晶體管各極電壓和電流之間相互關(guān)系、反映晶體管的性能，是分析放大電路的重要依據(jù)。 以共發(fā)射極接法時(shí)的輸入特性和輸出特性曲線為例。 181。A mA V IB IC RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 V + _ + _ UBE UCE 返回 特性曲線 輸出特性曲線 ：指當(dāng)基極電流 IB為一常數(shù)時(shí)，輸出電路 （集電極電路）中集電極電流 IC與集 射極電壓 UCE之間的 關(guān)系曲線。 輸入特性曲線 ：指當(dāng)集 射極電壓 UCE為常數(shù)時(shí)，輸入回路 （基極回路） IB與基 射極電壓 UBE之間的關(guān)系曲線。 特性曲線 CUBEB CE|)U(I ?? f 死區(qū)電壓： 硅管： ，鍺管 左右。 正常工作時(shí)，發(fā)射結(jié)的壓降： NPN型硅管 UBE=~。 PNP型鍺管 UBE=~。 0 UBE/V IB/181。A 80 60 40 20 UCE1 返回 輸入特性曲線 特性曲線 輸出特性曲線 CICEC B|)U(I ?? f 在不同的 IB下，晶體管的輸出特性曲線不同。 UCE/V 1 3 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20181。A IB=0 0 2 返回 特性曲線 晶體管的輸出特性曲線分為三個(gè)工作區(qū) ： （ 1）放大區(qū) （ 2）截止區(qū) （ 3）飽和區(qū) （ 1）放大區(qū)（線性區(qū)） 1 3 2 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20181。A IB=0 0 放大區(qū) UCE/V 輸出特性曲線的近似水平部分。 B_C IβI ? 發(fā)射結(jié)處于正向偏置；集電結(jié)處于反向偏置 返回 特性曲線 （ 2）截止區(qū) IB=0曲線以下的區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū) IB?0 ， IC ? 0， C、 E之間相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)。 對(duì) NPN型硅管而言，當(dāng) UBE〈 ，即已開始截止，為了截止可靠，常使 UBE小于等于零。 1 3 2 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20181。A IB=0 0 截止區(qū) UCE/V 返回 （ 3）飽和區(qū) 飽和時(shí)， UCE=~，（鍺管為 ~） ,C、 E之間相當(dāng)于一個(gè)閉合的開關(guān)。 在飽和區(qū)， IB的變化對(duì) IC的影響較小，兩者不成比例，失去放大作用。 1 3 4 3 6 9 12 IC/mA 100 80 60 40 20181。A IB=0 0 2 飽和區(qū) UCE/V 特性曲線 返回 主要參數(shù) 1 電流放大系數(shù) β,β__β ：靜態(tài)電流（直流）放大系數(shù) BC_IIβ?β：動(dòng)態(tài)電流（交流）放大系數(shù) BCIIβ???注意： β,β_兩者的含義是不同的，但在特性曲線近于平行等距并且 ICEO較小的情況下，兩者數(shù)值較為接近。在估算時(shí)，常用 ββ_ ? 近似關(guān)系 （ 1） （ 2） β對(duì)于同一型號(hào)的晶體管， 值有差別，常用晶體管的 β值在 20100之間。 返回 主要參數(shù) 2 集 — 基極反向飽和電流 ICBO ICBO=IC|IE=0 ICBO受溫度的影響大。在室溫下，小功率鍺管的ICBO約為幾微安到幾十微安，小功率硅管在一微安以下。ICBO越小越好。 EC 181。 A + _ T + _ ICB0 返回 主要參數(shù) 3 集 — 射極穿透電流 ICEO ICEO=IC|IB=0 ICBO愈大， _β 愈高的管子，穩(wěn)定性愈差。因此，在選管子 時(shí)，要求 ICBO盡可能小些，而 _β 以不超過 100為宜。 返回 主要參數(shù) 4 集電極最大允許電流 ICM 集電極電流 IC超過一定值時(shí)，晶體管的 _β 值要下降。當(dāng) _β 值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流。 在使用晶體管時(shí)， IC超過 ICM并不一定會(huì)使晶體管損壞，但以降低 為代價(jià)。 _β5 集 — 射極反向擊穿電壓 U（ BR） CEO 基極開路時(shí)，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。 返回 主要參數(shù) 6 集電極最大允許耗散功 PCM 由于集電極電流在流經(jīng)集電結(jié)時(shí)將產(chǎn)生熱量，使結(jié)溫升高，從而會(huì)引起晶體管參數(shù)變化。當(dāng)晶體管因受熱而引起的參數(shù)變化不超過允許值時(shí)，集電極所消耗的最大功率。 PCM=ICUCE 返回 IC/mA 0 UCE/V ICM U(BR)CE0 ICEO PCM 安全工作區(qū) 主要參數(shù) 返回 結(jié) 束 第 11 章 返回
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1