lect半導(dǎo)體電子ppt課件-資料下載頁
2025-05-05 18:14本頁面
【正文】 ??????????????????????????1e x p 1e x p2TkeVJTkeVnNLeDNLeDJBsoBiaeedhht o t a lPrinciples of LEDs （ Light Emitting Diode， 發(fā)光二極管） (a) p n+ Eg eVo Electron in CB（導(dǎo)帶） Hole in VB（價帶） Ec Ev EF eVo Electron energy Distance into the device Ec Ev EF Spontaneous emission （自發(fā)發(fā)射） h u E c E v hv ? Eg Eg (b) V p n+ e(V0V) 正向偏置 Principles of PN photodetectors （光探測器） E v E c h u Absorption （吸收） p + SiO 2 Electrode （電極） R e h + I ph h u E g W E n Depletion region （耗盡區(qū)） ( a ) Antireflection Coating （減反膜） V r Electrode （電極） V out 反向偏置 E 1 E 2 h u Absorption （吸收） h u Spontaneous emission （自發(fā)發(fā)射） E 2 E 1 h u Stimulated emission （受激發(fā)射） In h u Out h u E 2 E 1 Three possible processes in photonelectron interactions ( hv = E2 E1 ) In stimulated emission, number of photons are amplified.
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