lect半導體電子ppt課件-閱讀頁
2025-05-20 18:14本頁面
【正文】 doped) semiconductors ! b an d g a p . t h eof m i d d l e t h eine l y a p p r o x i m at FiEEC Ev EFi CB VB Intrinsic Few free carriers 本征 半導體 自由 載流子 費米能級 EF ni vs. T 2ex p iBgvc nTkENNnp ????????? ??E c E F ? eV A B V ( x ), PE ( x ) x PE ( x ) = eV E Electron Energy E c ? eV E v ? eV V ( x ) E F E v V n Type Semiconductor Energy Band Diagrams in an Applied Field （外加電壓下的能帶結(jié)構(gòu) It’s a nonequilibrium situation. （非平衡情況下） EC Ev EFi CB VB Intrinsic 本征 半導體 費米能級 EF EFp EC Ev Ea EFn EC Ev Ed ntype ptype e – majority carrier （多子） h – minority carrier （少子） h – majority carrier （多子） e – minority carrier （少子） 非本征 半導體 n型、 p型 EC Ev EFi CB VB Intrinsic Few free carriers 本征 半導體 自由 載流子 費米能級 EF 2innp ?Under equilibrium: nn0 = Nd pn0 = ni2 / Nd2 np0 = ni2 / Na2 pp0 = Na Carrier Density as function of (N, T) At high temperatures, ni |Nd N
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