wqiu半導(dǎo)體物理與器(編輯修改稿)
2025-02-02 14:50 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ，甚至可能與帶邊相交疊。雜質(zhì)上未電離電子也可發(fā)生共有化運(yùn)動(dòng)參與導(dǎo)電。 從費(fèi)米積分曲線(xiàn)上可以看出當(dāng) ηF2時(shí)為直線(xiàn)，即玻爾茲曼近似成立 167。 施主和受主的統(tǒng)計(jì)學(xué)分布 – 我們?cè)谇斑吿岬剑M(fèi)米－狄拉克幾率分布函數(shù)能夠成立的前提條件是滿(mǎn)足泡利不相容定律，即一個(gè)量子態(tài)上只允許存在一個(gè)電子，這個(gè)定律同樣也適用于施主態(tài)和受主態(tài)。我們將費(fèi)米－狄拉克分布幾率用于施主雜質(zhì)能級(jí)，則有： 其中 gd為施主電子能級(jí)的簡(jiǎn)并度，通常為 2。 Nd為施主雜質(zhì)的濃度， nd為占據(jù)施主能級(jí)的電子濃度，Ed為施主雜質(zhì)能級(jí)， Nd＋為離化的施主雜質(zhì)濃度。 – 與此類(lèi)似，當(dāng)我們將費(fèi)米－狄拉克分布幾率用于受主雜質(zhì)能級(jí)時(shí)，則有： Na為受主雜質(zhì)的濃度， pa為占據(jù)受主能級(jí)的空穴濃度， Ea為受主雜質(zhì)能級(jí)， Na為離化的受主雜質(zhì)濃度， ga為受主能級(jí)的簡(jiǎn)并度，對(duì)于硅和砷化鎵材料來(lái)說(shuō)通常為 4 在具體的應(yīng)用中，我們往往對(duì)電離的雜質(zhì)濃度更感興趣，而不是未電離的部分 ? 完全電離和束縛態(tài) 11 e xp2dd d ddFNn N NEEkT?? ? ????? ????? ?2 e xp1e xp2dFddddFEENnNEE kTkT?????? ????? ??????EdEFkT 此時(shí)對(duì)于導(dǎo)帶電子來(lái)說(shuō)，波爾茲曼假設(shè)成立 ? ?0 e x pcFcEEnNkT?????????– 則占據(jù)施主能級(jí)的電子數(shù)和總的電子數(shù)（導(dǎo)帶中和施主能級(jí)中）的比值為： ? ?? ? ? ?02 e xp2 e xp e xpdFddd d F c FdcEENkTnnn E E E ENNk T k T?????????? ? ? ? ?? ? ? ??? ? ? ?? ? ? ?? ?11 e xp2cdcdEENN k T?????? ????? ? ? ?e x p e x pc d d FE E E Ek T k T? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?Nc在 1019左
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