【正文】 d a dd a inn N p N n N Nnn N N n n? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ?在非簡并條件下 關(guān)系仍然成立 200 in p n?dn ap求解該方程，得到： ? ? 2 20 22da daiNN NNnn? ???? ? ?????根式取正號，因為要求零摻雜時為本征載流子濃度 摻雜水平相等時，完全補償，類本征半導體 摻雜濃度大于 ni時，雜質(zhì)電子濃度才起主要作用 – 同理利用 可推導出空穴濃度為： 200inpn?? ? ? ?e ff d a a dN N N N N? ? ?或例 ，在非簡并條件下，多數(shù)載流子濃度近似等于摻雜濃度（非補償） 例 ，在摻雜濃度和本征載流子濃度相差不大時，須考慮本征載流子濃度的影響 例 ，對于非簡并完全電離的補償半導體，多子濃度等于有效摻雜濃度。這節(jié)我們要具體推導摻雜半導體的載流子濃度和摻雜的關(guān)系。 其中： ? 簡并與非簡并半導體 – 在 n0、 p0的推導過程中，使用了玻爾茲曼假設(shè)，該假設(shè)只能處理非簡并系統(tǒng)。費米能級偏離禁帶中心位置。 Nd為施主雜質(zhì)的濃度， nd為占據(jù)施主能級的電子濃度，Ed為施主雜質(zhì)能級， Nd＋為離化的施主雜質(zhì)濃度。 有效摻雜濃度 少數(shù)載流子濃度應(yīng)當根據(jù) 推導 200 in p n?? ? 2 20 22ad adiNN NNpn? ???? ? ?????不同摻雜水平下半導體中多子與少子的數(shù)量差別 雜質(zhì)原子不僅僅增加了多數(shù)載流子濃度，而且還減少了少數(shù)載流子濃度 ? 高溫下的載流子濃度 – 由于本征載流子濃度 ni是溫度的強函數(shù)，因而隨著溫度的增加， ni迅速增大而使得本征激發(fā)載流子濃度超過雜質(zhì)載流子濃度，這將導致半導體的摻雜效應(yīng)弱化或消失 。定性的給出了雜質(zhì)在不同溫度下的電離情況，并且定性的知道了載流子濃度和摻雜水平的相關(guān)性。 ?小于用玻爾茲曼近似計算值 ?典型的簡并半導體電子濃度 費米 —— 狄拉克積分 與此類似，熱平衡狀態(tài)下的空穴濃度也可以表示為： 可見，當 η ’F0時，實際上也就意味著費米能級已經(jīng)進入到價帶中。 – 摻入施主雜質(zhì)，雜質(zhì)電離形成導帶電子和正電