wqiu半導(dǎo)體物理與器-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 ????? ?????cEEkT???仍然做變量代換 并且定義： FcFEEkT???– 載流子濃度公式變?yōu)椋? ? ?3 / 2* 1 / 20 2 0241 e x pnFm k Tndh??????????? ???? ?? ? ? ?1 / 21 / 2 0 1 e x pFFFd? ? ????? ???注意當(dāng) ηF0時(shí)，實(shí)際上意味著費(fèi)米能級(jí)已經(jīng)進(jìn)入到導(dǎo)帶中（簡(jiǎn)并）。 – 摻入施主雜質(zhì)，雜質(zhì)電離形成導(dǎo)帶電子和正電中心（施主離子），而不產(chǎn)生空穴（實(shí)際上空穴減少），因而電子濃度會(huì)超過(guò)空穴，我們把這種半導(dǎo)體叫做 n型半導(dǎo)體；在 n型半導(dǎo)體中，電子稱為多數(shù)載流子，相應(yīng)空穴成為少數(shù)載流子。半導(dǎo)體物理與器件 第四章 第二講 邱偉彬 167。費(fèi)米能級(jí)偏離禁帶中心位置。（雖然在這里本征載流子很少） – 例 ，對(duì)載流子濃度造成的影響：費(fèi)米能級(jí)抬高了約 ，則電子濃度變?yōu)楸菊鳚舛鹊?100000倍，空穴濃度的 100000000000倍。 ?小于用玻爾茲曼近似計(jì)算值 ?典型的簡(jiǎn)并半導(dǎo)體電子濃度 費(fèi)米 —— 狄拉克積分 與此類似，熱平衡狀態(tài)下的空穴濃度也可以表示為： 可見(jiàn)，當(dāng) η ’F0時(shí)，實(shí)際上也就意味著費(fèi)米能級(jí)已經(jīng)進(jìn)入到價(jià)帶中。雜質(zhì)上未電離電子也可發(fā)生共有化運(yùn)動(dòng)參與導(dǎo)電。 Nd為施主雜質(zhì)的濃度， nd為占據(jù)施主能級(jí)的電子濃度，Ed為施主雜質(zhì)能級(jí)， Nd＋為離化的施主雜質(zhì)濃度。這表明完全電離假設(shè)在常溫條件附近是近似成立的。定性的給出了雜質(zhì)在不同溫度下的電離情況，并且定性的知道了載流子濃度和摻雜水平的相關(guān)性。但是作為一個(gè)整體，半導(dǎo)體處于電中性狀態(tài)。 有效摻雜濃度 少數(shù)載流子濃度應(yīng)當(dāng)根據(jù) 推導(dǎo) 200 in p n?? ? 2 20 22ad adiNN NNpn? ???? ? ?????不同摻雜水平下半導(dǎo)體中多子與少子的數(shù)量差別 雜質(zhì)原子不僅僅增加了多數(shù)載流子濃度，而且還減少了少數(shù)載流子濃度 ? 高溫下的載流子濃度 – 由于本征載流子濃度 ni是溫度的強(qiáng)函數(shù)，因而隨著溫度的增加， ni迅速增大而使得本征激發(fā)載流子濃度超過(guò)雜質(zhì)載流子濃度，這將導(dǎo)致半導(dǎo)體的摻雜效應(yīng)弱化
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