n結(jié)半導(dǎo)體物理第七-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 結(jié)論： 1） E≤0 ； 2）電場(chǎng)強(qiáng)度為直線分布 3）電場(chǎng)強(qiáng)度最大值在 x=0處； 結(jié)論： 1） E≤0 ； 2）電場(chǎng)強(qiáng)度為直線分布 3）電場(chǎng)強(qiáng)度最大值在 x=0處； 最大電場(chǎng)強(qiáng)度 由 PN結(jié)界面處電場(chǎng)連續(xù)可得： 結(jié)論： 在 PN結(jié)界面兩側(cè)， N型區(qū)中單位面積的正電荷與 P型區(qū)中點(diǎn)位面積的負(fù)電荷相等。 反偏狀態(tài)下的 PN結(jié) 當(dāng)在 PN結(jié)的兩邊外加一個(gè)電壓時(shí)，此時(shí)整個(gè) PN結(jié)就不再處于熱平衡狀態(tài)，因此整個(gè) PN結(jié)系統(tǒng)中也就不再具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí)。 利用前面推導(dǎo)出的 空間電荷區(qū)寬度 公式，只需將公式中的 PN結(jié)內(nèi)建勢(shì)壘代換為反偏 PN結(jié)上總的勢(shì)壘高度，即： 結(jié)論： PN結(jié)中總的空間電荷區(qū)寬度隨著外加反向偏置電壓 VR的增大而不斷增大。 注意 :PN結(jié)電容中的耗盡區(qū)寬度隨著反偏電壓的改變而不斷變化，因此電容也是隨著反向偏置電壓的改變而不斷變化的。 3. 單邊突變 PN結(jié) 如果 PN結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度相差很大，通常稱之為 單邊突變 PN結(jié) 。 可以通過(guò)直線的斜率求出 PN結(jié)低摻雜一側(cè)的摻雜濃度。 N型摻雜濃度與 P型摻雜濃度相等之處，即為 PN結(jié)界面的位置，也就是冶金結(jié)的位置。 采用類似的分析方法，可以求得超陡峭摻雜 PN結(jié)單位面積的耗盡區(qū)電容為： PN結(jié)小結(jié) PN結(jié) P型區(qū)和 N型區(qū)為同一塊半導(dǎo)體單晶材料； 空間電荷區(qū)： PN結(jié)中帶電的區(qū)域，空間電荷區(qū)中大多數(shù)載流子已經(jīng)耗盡，因此空間電荷區(qū)也稱為 耗盡區(qū) 。 零偏時(shí)， PN結(jié)中沒有凈的電流，因此整個(gè) PN結(jié)中各處的費(fèi)米能級(jí)保持
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