半導(dǎo)體化學(xué)-預(yù)覽頁
【正文】 純度 ， 提出 了 越來越 高的要求，有害雜質(zhì)含量不超過 106％～ 108％， 有的甚至要求雜質(zhì)含量109％～ 1010％。 ④超純物質(zhì)分析及結(jié)構(gòu)鑒定方法，如質(zhì)譜分析、放射化分析、紅外光譜分析等。隨著大規(guī)模集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體化學(xué)的研究領(lǐng)域和對象也將不斷地?cái)U(kuò)展。 C. 金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類： a. 一類是沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。 ⑶ 美國 VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學(xué)清洗技術(shù) ⑷ 美國 SSEC公司的雙面檫洗技術(shù)（例 M3304 DSS清洗系統(tǒng)）。 2， SC2是 H2O2和 HCl的酸性溶液，一般的比例： HCl： H202： H20=1：1： 6,它具有極強(qiáng)的氧化性和絡(luò)合性，能與氧以前的金屬作用生成鹽隨去離子水沖洗而被去除。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation GaN的清洗 ?在做 P電極、 N電極、鈍化前的清洗 由于 GaN暴露在空氣中 GaN表面會(huì)有污染物，及氧化生成的氧化物，這一層污染物及氧化對電極接觸非常不利，所以要去掉這些污染物及氧化物。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation 鈍化工藝 P型和 N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起后如何形成 PN結(jié)？ PN結(jié)正偏后 → 內(nèi)電勢降低 → 有利多子擴(kuò)散 → 載流子從電源獲得補(bǔ)充 → 產(chǎn)生較大正向電流 → PN結(jié)導(dǎo)電 PN結(jié)加正向電壓（ PN結(jié)正偏） Lattice Power (Jiangxi) Corporation PN結(jié)加反向電壓（ PN結(jié)反偏） 內(nèi)外電場方向相同，空間電荷區(qū)變得更加寬，多子根本無法擴(kuò)散，只有少子在電場力作用下的產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)， PN結(jié)流過極小的電流， PN結(jié)不導(dǎo)電。首先要面對的就是光刻 技術(shù)。 光刻對集成電路圖形結(jié)構(gòu)的形成，如各層薄膜的圖形及摻雜區(qū)域等，均 起著決定性的作用 。 因此光刻通常在 黃光室 （ Yellow Room） 內(nèi)進(jìn)行 。 Lattice Power (Jiangxi) Corporation 謝謝！
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