n結(jié)半導(dǎo)體物理第七(存儲版)
【正文】 ： PN結(jié)反偏時(shí)形成的突變結(jié)勢壘電容等效為平行板電容器的電容。 167。耗盡區(qū)之外，中性區(qū)。 突變結(jié) 本章作業(yè)題 。 電場強(qiáng)度與距離的關(guān)系 2. 超陡峭的 PN結(jié) 對于單邊突變 P＋ N結(jié)，考慮更一般的情況，即當(dāng)x0時(shí)， N型區(qū)的摻雜濃度可表示為： N = Bxm 當(dāng) m=0時(shí)，即為均勻摻雜的情形； 當(dāng) m=1時(shí)，即為線性緩變 PN結(jié)的情形； 當(dāng) m為負(fù)值時(shí)，即為所謂的超陡峭摻雜的 PN結(jié)。 結(jié)論： 利用此線性關(guān)系，可外推求出 PN結(jié)的內(nèi)建電勢差。 將耗盡區(qū)寬度 此式與單位面積的 平行板電容 公式完全相同。 w 3 空間電荷區(qū)的寬度 將 帶入 PN結(jié)內(nèi)建勢壘公式： 影響空間電荷區(qū)寬度的因素： 摻雜濃度：主要取決于低摻雜區(qū)的濃度； 溫度； 167。 達(dá)到平衡狀態(tài)的 PN結(jié)能帶圖具有統(tǒng)一的費(fèi)米能級 167。 ?? * 空穴離開 P型區(qū)向 N型區(qū)擴(kuò)散，在 P型區(qū)留下帶負(fù)電荷的受主離子。 理想突變結(jié)： P型區(qū)和 N型區(qū)分別均勻摻雜 ?? P型區(qū)摻雜濃度為 Na ?? N型區(qū)摻雜濃度為 Nd 冶金結(jié)是面積足夠大的平面 理想突變結(jié)雜質(zhì)濃度曲線 3. PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成 兩種材料接觸形成 PN結(jié)時(shí)，冶金結(jié)兩側(cè)將出現(xiàn)載流子密度差，形成可動載流子的擴(kuò)散流： ?? * 電子離開 N型區(qū)向 P型區(qū)擴(kuò)散，在 N型區(qū)留下帶正電荷的施主離子。
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