n結半導體物理第七-文庫吧在線文庫
【正文】 ? 能帶彎曲－－勢壘高度。在 P型區(qū)一側有： 設置電勢零點為： 由此可得： P型區(qū)中一側空間電荷區(qū)中的電勢分布為： PN結空間電荷中電勢分布： 電子的電勢能可表示為： 可見，電子的電勢能與電勢的 變化類似。 2. PN結的勢壘電容 根據(jù)電容的定義，單位面積 PN結的電容為： 上式為 PN結勢壘電容，也稱為耗盡層電容。 可見， PN結電容倒數(shù)的平方與反偏電壓 VR成線性關系。 最大電場強度仍然位于冶金結界面處，空間電荷區(qū)之外電場強度也仍然為零。 反偏 PN結呈現(xiàn)出電容特性，一般稱之為 PN結勢壘電容。 內建電場：內建電場位于空間電荷區(qū)，最大值在x=0處，耗盡區(qū)之外， 內建電場為零。 非均勻摻雜的 PN結 至此，所討論的 PN結兩側都是均勻摻雜的半導體材料，但是實際的情況并非完全如此，另外在某些特殊的應用場合，也需要一些特別設計的非均勻摻雜 PN結。 影響勢壘電容大小的因素： 摻雜濃度： 摻雜濃度增加 ，勢壘電容增加； 單邊突變結，決定于低摻雜區(qū)濃度。 外加反偏電壓 VR時的 PN結的能帶圖 外加電場存在將會使得能帶圖中 N型區(qū)的費米能級往下拉，下拉的幅度等于外加電壓引起的電子勢能變化量。 內建勢壘的高度： 影響勢壘高度的因素： 摻雜濃度； 溫度； 電場強度 耗盡區(qū)電場的產(chǎn)生是由于正負電荷的相互分離。 空間電荷區(qū)也稱為 勢壘區(qū)； 過渡區(qū)； 耗盡區(qū)； 空間電荷區(qū)將形成內建電場。 第七章 PN 結 本章學習要點
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