n結半導體物理第七(完整版)
【正文】 ： 1. 了解 PN結的結構及空間電荷區(qū)的概念； 2. 掌握零偏狀態(tài)下 PN結的特性，包括內(nèi)建電勢、內(nèi) 建電場以及空間電荷區(qū)寬度等； 3. 掌握反偏狀態(tài)下 PN結的空間電荷區(qū)寬度、內(nèi)建電 場以及 PN結電容特性； 4. 了解非均勻摻雜 PN結的特性； 167。 內(nèi)建電場引起載流子的漂移運動，漂移運動與擴散運動的方向相反，最后達到平衡狀態(tài)。右圖所示為突變結的體電荷密度分布。 此時， PN結上總的勢壘高度增大為： 1. 空間電荷區(qū)寬度與 PN結中的電場 當 PN結兩側外加反向偏壓 VR時， PN結內(nèi)部空間電荷區(qū)中的電場增強，因此 PN結界面兩側的空間電荷區(qū)寬度將會進一步展寬。 偏置電壓： 反偏電壓變大，勢壘電容減小。 1. 線性緩變 PN結 通過擴散方法制造的 PN結，雜質(zhì)濃度分布近似為線性分布，這種 PN結稱為線形緩變 PN結。 內(nèi)建電場同時也會引起內(nèi)建電勢差，使得能帶發(fā)生彎曲。 反偏 PN結 PN結加反向置電壓 VR時， PN結空間電荷區(qū)中電場增強，PN結勢壘增大， PN結兩側耗盡區(qū)進一步展寬。 P區(qū)為非均勻摻雜的 PN結的雜質(zhì)濃度分布 : 理想線形緩變結： 雜質(zhì)分布： N（ x) = NdNa = ax 結論： 在線性緩變 PN結的空間電荷區(qū)中，電場強度是距離的二次函數(shù)關系，而不再是均勻摻雜 PN結空間電荷區(qū)中電場強度隨空間位置的線性變化關系。 如果 P型區(qū)的摻雜濃度遠遠大于 N型區(qū)的摻雜濃度，即 NaNd，稱之為 P＋ N。 同樣，空間電荷區(qū)在 PN結兩側的擴展寬度也可以分 別求得，其中在 N型區(qū)一側的擴展
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