n結(jié)半導(dǎo)體物理第七-免費閱讀
【正文】 零偏時， PN結(jié)中沒有凈的電流，因此整個 PN結(jié)中各處的費米能級保持恒定。 N型摻雜濃度與 P型摻雜濃度相等之處，即為 PN結(jié)界面的位置，也就是冶金結(jié)的位置。 3. 單邊突變 PN結(jié) 如果 PN結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度相差很大，通常稱之為 單邊突變 PN結(jié) 。 利用前面推導(dǎo)出的 空間電荷區(qū)寬度 公式，只需將公式中的 PN結(jié)內(nèi)建勢壘代換為反偏 PN結(jié)上總的勢壘高度，即： 結(jié)論： PN結(jié)中總的空間電荷區(qū)寬度隨著外加反向偏置電壓 VR的增大而不斷增大。 結(jié)論： 1） E≤0 ； 2）電場強度為直線分布 3）電場強度最大值在 x=0處； 結(jié)論： 1） E≤0 ； 2）電場強度為直線分布 3）電場強度最大值在 x=0處； 最大電場強度 由 PN結(jié)界面處電場連續(xù)可得： 結(jié)論： 在 PN結(jié)界面兩側(cè)， N型區(qū)中單位面積的正電荷與 P型區(qū)中點位面積的負電荷相等。 空間電荷區(qū)及內(nèi)建電場的形成過程示意圖 達到熱平衡狀態(tài)時，擴散流等于漂移流 平衡 PN結(jié)的特點： ? 勢壘區(qū)內(nèi)電子（空穴）的擴散和漂移抵消。 PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu) 1. PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu) PN結(jié)是由一個 N型摻雜區(qū)和一個 P型摻雜區(qū)緊密接觸所構(gòu)成的，其接觸界面稱為冶金結(jié)界面。 空間電荷區(qū) : 半導(dǎo)體帶電的區(qū)域。 從能量的角度來看，在 N型區(qū)和 P型區(qū)之間建立了一個內(nèi)建勢壘，阻止電子進一步向 P型區(qū)擴散，該內(nèi)建勢壘的高度即為內(nèi)建電勢差，用 Vbi 表示。 反向偏置 : PN結(jié)的 N型區(qū)相對于 P型區(qū)外加一個正電壓 VR。 帶入上式得 ： 小結(jié)
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