半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)思考題(存儲(chǔ)版)
【正文】 ni超過(guò)體內(nèi)多數(shù)載流子濃度即為反型。注：300K硅。求： 1) 非平衡少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度；2) 半導(dǎo)體中非平衡少數(shù)載流子的分布；3) 在距表面多遠(yuǎn)處非平衡少數(shù)載流子濃度等于表面非平衡少數(shù)載流子濃度的。室溫條件下，求：（1）勢(shì)壘區(qū)接觸電勢(shì)差；（2）分別計(jì)算在熱平衡和反向偏壓10V時(shí)的勢(shì)壘區(qū)寬度和單位面積上的電容；（3）計(jì)算熱平衡下的最大電場(chǎng)強(qiáng)度。（3）：室溫下，一均勻摻雜的p型半導(dǎo)體樣品，電子的壽命為，電子的遷移率，在樣品的一端有光照均勻產(chǎn)生非平衡載流子。解：室溫時(shí)： ，其兩邊雜質(zhì)濃度分別為，求其接觸電勢(shì)差、勢(shì)壘高度和勢(shì)壘寬度。，并標(biāo)明勢(shì)壘區(qū)中載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向，及勢(shì)壘高度和勢(shì)壘寬度。答：小注入時(shí)，顯然有，且，因而比EF更靠近導(dǎo)帶，但偏離EF很小。電子脫離雜質(zhì)原子的束縛成為導(dǎo)電電子的過(guò)程稱為雜質(zhì)電離。1. 電子的共有化運(yùn)動(dòng)答：原子組成晶體后，由于原子殼層的交疊，電子不再完全局限在某一個(gè)原子上，可以由一個(gè)原子轉(zhuǎn)移到相鄰的原子上去。答：Ⅴ族雜質(zhì)在硅、鍺中電離時(shí)，能夠釋放電子而
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