半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)思考題(存儲版)
【正文】 ni超過體內(nèi)多數(shù)載流子濃度即為反型。注：300K硅。求： 1) 非平衡少數(shù)載流子的擴散長度；2) 半導(dǎo)體中非平衡少數(shù)載流子的分布；3) 在距表面多遠處非平衡少數(shù)載流子濃度等于表面非平衡少數(shù)載流子濃度的。室溫條件下，求：（1）勢壘區(qū)接觸電勢差；（2）分別計算在熱平衡和反向偏壓10V時的勢壘區(qū)寬度和單位面積上的電容；（3）計算熱平衡下的最大電場強度。（3）：室溫下，一均勻摻雜的p型半導(dǎo)體樣品，電子的壽命為，電子的遷移率，在樣品的一端有光照均勻產(chǎn)生非平衡載流子。解：室溫時： ，其兩邊雜質(zhì)濃度分別為，求其接觸電勢差、勢壘高度和勢壘寬度。，并標(biāo)明勢壘區(qū)中載流子的漂移運動和擴散運動的方向，及勢壘高度和勢壘寬度。答：小注入時，顯然有，且，因而比EF更靠近導(dǎo)帶，但偏離EF很小。電子脫離雜質(zhì)原子的束縛成為導(dǎo)電電子的過程稱為雜質(zhì)電離。1. 電子的共有化運動答：原子組成晶體后，由于原子殼層的交疊，電子不再完全局限在某一個原子上，可以由一個原子轉(zhuǎn)移到相鄰的原子上去。答：Ⅴ族雜質(zhì)在硅、鍺中電離時，能夠釋放電子而
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