n結半導體物理第七(文件)
【正文】 將耗盡區(qū)寬度 此式與單位面積的 平行板電容 公式完全相同。 偏置電壓： 反偏電壓變大，勢壘電容減小。 結論： 利用此線性關系，可外推求出 PN結的內建電勢差。 1. 線性緩變 PN結 通過擴散方法制造的 PN結，雜質濃度分布近似為線性分布，這種 PN結稱為線形緩變 PN結。 電場強度與距離的關系 2. 超陡峭的 PN結 對于單邊突變 P＋ N結，考慮更一般的情況，即當x0時， N型區(qū)的摻雜濃度可表示為： N = Bxm 當 m=0時，即為均勻摻雜的情形； 當 m=1時，即為線性緩變 PN結的情形； 當 m為負值時，即為所謂的超陡峭摻雜的 PN結。 內建電場同時也會引起內建電勢差，使得能帶發(fā)生彎曲。 突變結 本章作業(yè)題 。 反偏 PN結 PN結加反向置電壓 VR時， PN結空間電荷區(qū)中電場增強，PN結勢壘增大， PN結兩側耗盡區(qū)進一步展寬。耗盡區(qū)之外，中性區(qū)。 P區(qū)為非均勻摻雜的 PN結的雜質濃度分布 : 理想線形緩變結： 雜質分布： N（ x) = NdNa = ax 結論： 在線性緩變 PN結的空間電荷區(qū)中，電場強度是距離的二次函數(shù)關系，而不再是均勻摻雜 PN結空間電荷區(qū)中電場強度隨空間位置的線性變化關系。 167。 如果 P型區(qū)的摻雜濃度遠遠大于 N型區(qū)的摻雜濃度，即 NaNd，稱之為 P＋ N。 帶入上式得 ： 小結： PN結反偏時形成的突變結勢壘電容等效為平行板電容器的電容。 同樣，空間電荷區(qū)在 PN結兩側的擴展寬度也可以分
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