n結半導體物理第七-閱讀頁
2025-01-21 14:47本頁面
【正文】 VR的增大而不斷增大。 2. PN結的勢壘電容 根據(jù)電容的定義，單位面積 PN結的電容為： 上式為 PN結勢壘電容，也稱為耗盡層電容。 注意 :PN結電容中的耗盡區(qū)寬度隨著反偏電壓的改變而不斷變化，因此電容也是隨著反向偏置電壓的改變而不斷變化的。 影響勢壘電容大小的因素： 摻雜濃度： 摻雜濃度增加 ，勢壘電容增加； 單邊突變結，決定于低摻雜區(qū)濃度。 3. 單邊突變 PN結 如果 PN結兩側的摻雜濃度相差很大，通常稱之為 單邊突變 PN結 。 可見， PN結電容倒數(shù)的平方與反偏電壓 VR成線性關系。 可以通過直線的斜率求出 PN結低摻雜一側的摻雜濃度。 非均勻摻雜的 PN結 至此，所討論的 PN結兩側都是均勻摻雜的半導體材料，但是實際的情況并非完全如此，另外在某些特殊的應用場合，也需要一些特別設計的非均勻摻雜 PN結。 N型摻雜濃度與 P型摻雜濃度相等之處，即為 PN結界面的位置，也就是冶金結的位置。 最大電場強度仍然位于冶金結界面處，空間電荷區(qū)之外電場強度也仍然為零。 采用類似的分析方法，可以求得超陡峭摻雜 PN結單位面積的耗盡區(qū)電容為： PN結小結 PN結 P型區(qū)和 N型區(qū)為同一塊半導體單晶材料； 空間電荷區(qū)： PN結中帶電的區(qū)域，空間電荷區(qū)中大多數(shù)載流子已經(jīng)耗盡，因此空間電荷區(qū)也稱為 耗盡區(qū) 。 內(nèi)建電場：內(nèi)建電場位于空間電荷區(qū)，最大值在x=0處，耗盡區(qū)之外， 內(nèi)建電場為零。 零偏時， PN結中沒有凈的電流，因此整個 PN結中各處的費米能級保持恒定。 反偏 PN結呈現(xiàn)出電容特性，一般稱之為 PN結勢壘
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