n結(jié)半導(dǎo)體物理第七-文庫吧資料
2025-01-12 14:47本頁面
【正文】 分 別求得，其中在 N型區(qū)一側(cè)的擴展寬度為： 當 PN結(jié)外加的反向偏壓改變時， PN結(jié)中耗盡區(qū)的寬度發(fā)生變化，因此 PN結(jié)兩側(cè)耗盡區(qū)中的電荷也會隨之而發(fā)生改變，這種充放電作用就是 PN結(jié)的 電容效應(yīng) 。 此時， PN結(jié)上總的勢壘高度增大為： 1. 空間電荷區(qū)寬度與 PN結(jié)中的電場 當 PN結(jié)兩側(cè)外加反向偏壓 VR時， PN結(jié)內(nèi)部空間電荷區(qū)中的電場增強，因此 PN結(jié)界面兩側(cè)的空間電荷區(qū)寬度將會進一步展寬。 反向偏置 : PN結(jié)的 N型區(qū)相對于 P型區(qū)外加一個正電壓 VR。 w 3 空間電荷區(qū)的寬度 將 帶入 PN結(jié)內(nèi)建勢壘公式： 影響空間電荷區(qū)寬度的因素： 摻雜濃度：主要取決于低摻雜區(qū)的濃度； 溫度； 167。 在 PN結(jié)界面處電場達到最大，最大電場為： 內(nèi)建電勢： 將內(nèi)建電場對空間電荷區(qū)進行積分，即可求得空間電荷區(qū)中的電勢分布。右圖所示為突變結(jié)的體電荷密度分布。 從能量的角度來看，在 N型區(qū)和 P型區(qū)之間建立了一個內(nèi)建勢壘，阻止電子進一步向 P型區(qū)擴散，該內(nèi)建勢壘的高度即為內(nèi)建電勢差，用 Vbi 表示。 達到平衡狀態(tài)的 PN結(jié)能帶圖具有統(tǒng)一的費米能級 167。 ? 整個 pn結(jié)具有統(tǒng)一的費米能級。 內(nèi)建電場引起載流子的漂移運動，漂移運動與擴散運動的方向相反，最后達到平衡狀態(tài)。 空間電荷區(qū) : 半導(dǎo)體帶電的區(qū)域。 ?? * 空穴離開 P型區(qū)向 N型區(qū)擴散，在 P型區(qū)留下帶負電荷的受主離子。 2. 制造 PN結(jié)的方法： （ 1）外延方法：突變
教學(xué)教案相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1