半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 12:45本頁面
【正文】 γ 高； fT=100GHz。 兩種勢壘尖峰： （ a）低勢壘尖峰 負反向勢壘 （ b）高勢壘尖峰 正反向勢壘 同質(zhì)結(jié) IV模型：擴散和發(fā)射模型 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 低勢壘尖峰（負反向勢壘異質(zhì)結(jié)）的 IV特性 2）載流子濃度 3）電子擴散電流密度 Jn 4）空穴擴散電流密度 Jp 5）總電流密度 J=Jn+Jp 6） Jn、 Jp大小對比分析 1）電流模型：主要由擴散機制決定 特征：勢壘尖峰低于 p區(qū)的 EC 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 高勢壘尖峰（正反向勢壘異質(zhì)結(jié)）的 IV特性 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 突變異質(zhì)結(jié)的 IV特性 1）電流模型：由熱電子發(fā)射機制決定 2）勢壘高度 特征：勢壘尖峰高于 p區(qū)的 EC 3）電流密度 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì) pn結(jié)的注入特性 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 pn結(jié)的高注入比特性及其應(yīng)用 例如， pGaAs（窄禁帶） /（寬禁帶）， ΔEg =，設(shè) p區(qū)摻雜濃度 NA1=2X1019cm3, n區(qū)摻雜濃度 ND2=5X1017cm3，則 210e x p 8 0gn DpAEJ NJ N k T??注入比 0 . 9 9nnpJJJ? ???發(fā)射效率 同質(zhì)結(jié)的 BJT：基區(qū)不能太薄，頻率特性不高； 異質(zhì)結(jié)的 HBT：基區(qū)可以很薄，頻率特性很高； 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 思考題 ? 試分析高勢壘尖峰異質(zhì)結(jié)的反向 IV特性?；衔锇雽?dǎo)體器件 Dai Xianying 化合物半導(dǎo)體器件 Compound Semiconductor Devices 微電子學(xué)院 戴顯英 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 第三章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié) ? 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 ? 量子阱與二維電子氣 ? 多量子阱與超晶格 ? 半導(dǎo)體應(yīng)變異質(zhì)結(jié) 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 異質(zhì)結(jié)的形成 圖 IIIV族和 IIVI族化合物 半導(dǎo)體的禁帶寬度和晶格常數(shù) 1）異質(zhì)結(jié) 2）異質(zhì)結(jié)形成的工藝 3） 異質(zhì)結(jié)的類型 4）異質(zhì)結(jié)形成的關(guān)鍵 5）晶格失配 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 圖 晶格失配形成位錯缺陷 ? ? ? ?2 1 2 12 2 2
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1