半導(dǎo)體照明ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-01-10 00:43本頁(yè)面
【正文】 芯片激發(fā)熒光粉發(fā)出三基色合成白光。 優(yōu)點(diǎn)：效率高、制備簡(jiǎn)單、溫度穩(wěn)定性較好、顯色性較好。 缺點(diǎn)：三基色光衰不同導(dǎo)致色溫不穩(wěn)定、控制電路較復(fù)雜、成本較高。 中國(guó)漢級(jí)核潛艇 索尼全球首臺(tái)藍(lán)光 DVD刻錄機(jī) BDZS7 五、半導(dǎo)體照明的來(lái)臨 優(yōu)異的性能 ? 白光 LED 固體冷光源，效率高，綠色環(huán)保 壽命長(zhǎng)，可以達(dá)到 10萬(wàn)小時(shí)（連續(xù) 10年） 低電壓工作 是照明領(lǐng)域的又一次革命 白光 LED的構(gòu)成方式 通過(guò) LED紅綠藍(lán)的三基色多芯片組和發(fā)光合成白光。半導(dǎo)體照明 照明領(lǐng)域的又一次革命 一、人類(lèi)照明的歷史 火 —人類(lèi)的文明 燈 —延續(xù)歷史幾千年 燈 —延續(xù)歷史幾千年 二、電光源的歷史 1879年愛(ài)迪生發(fā)明白熾燈 熒光燈將電光源帶入新天地 三、半導(dǎo)體發(fā)光二極管 半導(dǎo)體發(fā)光二極管 照明的革命 四、第三代半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體材料的分代 1. 以硅 Si為代表的半導(dǎo)體材料為第一代半導(dǎo)體材料 2. 以砷化鎵 GaAs為代表的化合物半導(dǎo)體材料為第二代半導(dǎo)體材料 3. 以氮化鎵 GaN為代表的寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料為第三代半導(dǎo)體材料 GaN半導(dǎo)體材料特點(diǎn) ? 寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，有很高的禁帶寬度（ —)，可以覆蓋紅、黃、綠、藍(lán)、紫和紫外光譜范圍 ，是到目前為止其它任何半導(dǎo)體材料都無(wú)法達(dá)到的 ? 高頻特性，可以達(dá)到 300G Hz（硅為 10G，砷化鎵為 80G） GaN半導(dǎo)體材料特點(diǎn) ? 高溫特性，在 300℃ 正常工作（非常適用于航天、軍事和其它高溫環(huán)境） ? 耐酸、耐堿、耐腐蝕（可用于惡劣環(huán)境） ? 高壓特性（耐沖擊，可靠性高） ? 大功率（對(duì)通訊設(shè)備是非常渴望的） GaN外延片生產(chǎn) ? 通過(guò) MOCVD進(jìn)行 GaN單晶膜外延生長(zhǎng) 用藍(lán)寶石為襯底材料 用高純氨氣提供氮源 用金屬有機(jī)源提供鎵、銦、鋁源 通過(guò)金屬有機(jī)源化學(xué)氣相沉積的方法 進(jìn)行生長(zhǎng) 方大集團(tuán)于 2022年 9月在國(guó)內(nèi)第一個(gè) 生產(chǎn)出 GaN基
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