半導(dǎo)體元件zxmppt課件-文庫吧資料
2025-05-18 06:37本頁面
【正文】 /181。 反向電流： 反向飽和電流： 反向擊穿電壓 U（ BR） 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。A 20 40 反向 死區(qū)電壓 擊穿電壓 二極管一旦導(dǎo)通，其兩端電壓近似為一常數(shù)。 伏安特性 1 正向特性 返回 正向壓降 ： 硅管： ~，鍺管： ~ 。 與溫度和環(huán)境有關(guān) 硅管： ，鍺管： 。 1 正向特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。 返回 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。 基本結(jié)構(gòu) 基本結(jié)構(gòu) 表示符號(hào) 伏安特性 正向 O U/V I/mA 80 60 40 20 50 25 I/181。 返回 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 穩(wěn)壓管 半導(dǎo)體三極管 目 錄 返回 半導(dǎo)體二極管 基本結(jié)構(gòu) 伏安特性 二極管的主要參數(shù) 應(yīng)用舉例 發(fā)光二極管 返回 引線 外殼 觸絲 N型鍺片 點(diǎn)接觸型 PN結(jié)面積小，通過電流小，但高頻特性好，多用于高頻和小功率電路。 + 變 寬 P N 內(nèi)電場 方向 外電場方向 R I=0 返回 ? PN結(jié)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，通過 PN結(jié)的電流是少子的漂移電流 反向電流 ? 特點(diǎn) : 受溫度影響大 ? 原因 : 反向電流是靠熱激發(fā)產(chǎn)生的少子形成的 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 結(jié) 論 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦? （ 1） PN結(jié)加正向電壓時(shí)，處在導(dǎo)通狀態(tài)，結(jié)電阻很低，正向電流較大。 另一方面 ，內(nèi)電場的增強(qiáng)，使得少數(shù)載流子的飄移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)，形成反向電流。 電流從 P區(qū)指向 N區(qū)，即空穴的運(yùn)動(dòng)方向。 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 外加正向電壓使 PN結(jié)導(dǎo)通 外電場與內(nèi)電場的方向相反，外電場使 P區(qū)空穴和 N區(qū)的電子進(jìn)入空間電荷區(qū)，使電荷區(qū)變窄，使得擴(kuò)散加強(qiáng)。 PN結(jié)的形成 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的動(dòng)態(tài)平衡 擴(kuò)散強(qiáng) 漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng) 內(nèi)電場增強(qiáng) 兩者平衡 PN結(jié)寬度基本穩(wěn)定 外加電壓 平衡破壞 擴(kuò)散強(qiáng) 漂移強(qiáng) PN結(jié)導(dǎo)通 PN結(jié)截止 返回 ? PN結(jié)外加正向電壓 ：指外電源的正極接 PN結(jié)的 P區(qū)，外電源的負(fù)極接 PN結(jié)的 N區(qū)。 ? 例： P區(qū)的空穴向 N區(qū)擴(kuò)散的數(shù)目與 N區(qū)的空穴向 P區(qū)的飄移的數(shù)目相等。 這兩種運(yùn)動(dòng)相互聯(lián)系，又相互矛盾。 ? 少數(shù)載流子在內(nèi)電場的作用下的有規(guī)則運(yùn)動(dòng)稱為飄移運(yùn)動(dòng)。 ? 內(nèi)電場對多數(shù)載流子的的擴(kuò)散起阻礙作用，又稱其為阻擋層。 返回 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 PN結(jié) 半導(dǎo)體二極管 穩(wěn)壓管 半導(dǎo)體三極管 目 錄 返回 PN結(jié) PN結(jié)的形成 自由電子 P N 空穴 返回 PN結(jié)是由擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的。 空穴型半導(dǎo)體或 P型半導(dǎo)體。 電子型半導(dǎo)體或 N型半導(dǎo)體 Si Si P+ Si 多余電子 返回 N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體 P型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中摻入三價(jià)硼（或其它三價(jià)元素）。 雜質(zhì)半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體 在硅或鍺的晶體中摻入微量的五價(jià)磷（或其它五價(jià)元素）。 半導(dǎo)體的種類 ? 本征半導(dǎo)體 就是完全純凈的半導(dǎo)體。 本征半導(dǎo)體 Si Si Si Si 價(jià)電子 空穴 當(dāng)半導(dǎo)體兩端加上外電壓時(shí)，自由電子作定向運(yùn)動(dòng)形成電子電流；而空穴的運(yùn)動(dòng)相當(dāng)于正電荷的運(yùn)動(dòng) 返回 空穴的運(yùn)動(dòng)方式（空穴電流）與自由電子 的運(yùn)動(dòng)方式有本質(zhì)的區(qū)別。 Si Si Si Si 自由電子 空穴 返回 半導(dǎo)體導(dǎo)電方式 在半導(dǎo)體中，同時(shí)存在著電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電，這是半導(dǎo)體導(dǎo)電方式的最大特點(diǎn)，也是半導(dǎo)體和金屬在導(dǎo)電原理上的本質(zhì)差別。 空穴 Si Si Si Si 自由 電子 返回 熱激發(fā)與復(fù)合現(xiàn)象 由于受熱或光照產(chǎn)生自由電子和空穴的現(xiàn)象 熱激發(fā) 本征半導(dǎo)體 自由電子在運(yùn)動(dòng)中遇到空穴后，兩者同時(shí)消失，稱為復(fù)合現(xiàn)象 溫度一定時(shí)，本征半導(dǎo)體中的自由電子 — 空穴對的數(shù)目基本不變。 ? ：在電子掙脫共價(jià)鍵的束縛成為自由電子后，共價(jià)鍵中留下一個(gè)空穴，這個(gè)空穴帶正電。 ? ：相鄰的兩原子，各出一個(gè)價(jià)電子，構(gòu)成共用的電子對，形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。 應(yīng)用最多的本征半導(dǎo)體為鍺和硅，它們各有四個(gè)價(jià)電子，都是四價(jià)元素 . 硅的原子結(jié)構(gòu) 返回 幾個(gè)常用名詞 ? ：最外層電子（四個(gè)價(jià)電子，是四價(jià)元素）。 ? 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻雜其它的微量元素。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 ? 物質(zhì)按導(dǎo)電能力來分： 421 0 /m m m?1） 導(dǎo)體 ：電阻率 2)絕緣體 ： 電阻率 20 . 0 1 ~ 1 /m m m? ??3)半導(dǎo)體
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