半導(dǎo)體器件習(xí)題ppt課件-文庫吧資料
2025-05-12 12:44本頁面
【正文】 生長法和離子注入法 ? 結(jié)的兩邊載流子相差懸殊會(huì)發(fā)生擴(kuò)散，形成一個(gè) N區(qū)為正， P區(qū)為負(fù)的電偶極層，產(chǎn)生又 N區(qū)指向 P區(qū)的自建電場，此電場的作用是阻止載流子進(jìn)一步相互擴(kuò)散。（ a） T=300K時(shí)， BE結(jié)電壓為何值時(shí)， x=0處的少子濃度是多子濃度的 10%？（ b）在該偏置下，確定 x’=0出的少子濃度?；鶇^(qū)寬度為 。對(duì)于 iB=50μA， iC=，重復(fù)（ a）。 第十章作業(yè) ? （ a）一個(gè)雙極晶體管工作于正向有源區(qū)，基極電流 iB=，集電極電流 iC=。 比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴(kuò)散晶體管 的優(yōu)越性 ? 其他優(yōu)點(diǎn)： ? 一、采用多晶硅作發(fā)射極，離子注入慘雜形成發(fā)射區(qū)時(shí)，粒子打在多晶硅上，避免了硅表面損傷和缺陷的殘生，實(shí)現(xiàn)了完美注入 ? 二、多晶硅形成良好淺結(jié)的同時(shí)還形成了歐姆接觸和發(fā)射極引線 第十章作業(yè) ? n++p+n型雙極晶體管，處于熱平衡狀態(tài)。 比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴(kuò)散晶體管 的優(yōu)越性 ? 因此采用多晶硅發(fā)射極結(jié)構(gòu)，因?yàn)橥葥诫s濃度下，其電流增益提高了 3~10倍。 半導(dǎo)體器件習(xí)題－ PN結(jié)和三極管 田野 3月 14日作業(yè) ? 討論影響共射極電流增益的因素； ? 比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴(kuò)散晶體管的優(yōu)越性。 討論影響共射極電流增益的因素 ? ? 出現(xiàn)在 P278表 ? 其中 NB、 NE為基極、發(fā)射極摻雜濃
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