【正文】 、 dvCE、 diB、 diC代表無限小的信號(hào)增量，也就是可以用電流、電壓的交流分量來代替。 為集電結(jié)電容，三極管放大使用時(shí)，其值很小，只有零點(diǎn)幾到幾 pF。 ebC39。39。bbr6）極間電容 和 ebC39。 cbr39。39。4）集電結(jié)的結(jié)層電阻 ?ceQCBCECQCEBcbgiivivig ?????????39。 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 ACQAVVSQCECce VIVeIvig TB E Q??????13）集射電阻 cer)1(ACEVvSC VveIiTBE??CQAcece IVgr ?? 1集射電阻一般在幾千歐以上，與集電極靜態(tài)電流成反比，與 VA成正比，其大小反映了輸出特性曲線的傾斜程度，為 基區(qū)寬度調(diào)制參數(shù) 。 ???? eebebrgrebg39。 ??? ???????????eTEQTBQVVsTQBEBeb rVIVIeIVvigTBEQTBEVvSB eIi??)1(139。室溫時(shí)， SIVIg CQTCQm ??er1?武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 2）發(fā)射結(jié)的結(jié)層電阻 ebr39。高頻混合 π型電路模型 三極管的結(jié)構(gòu)模型 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 混合 π型參數(shù)與工作點(diǎn)電流的關(guān)系 在工作點(diǎn) Q處對(duì)指數(shù)模型求導(dǎo)可得到相應(yīng)的 g參數(shù) TBEVvSC eIi ?TBEVvSB eIi??AV0?Bi1Bi2Bi3Bi4BiCiCEv)1(ACEVvSC VveIiTBE??武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 1）三極管的跨導(dǎo) gm eTEQTCQVVSTQBECm rVIVIeIVvig TBEQ ?????????1TBEVvSC eIi ?EQTe IVr ?：發(fā)射結(jié)正偏時(shí) Q點(diǎn)對(duì)應(yīng)的動(dòng)態(tài)電阻 跨導(dǎo) gm反映了 作為控制電壓時(shí)對(duì)集電極電流的控制能力。bcbr39。bbrebv39。ebr39。b低頻混合 π型簡化模型 cbC39。bbrebv39。ebr39。＋ － 39。 c e e b 39。ebr39。???取 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 考慮基區(qū)體電阻 39。39。 cebecbcecebem vvgvgvg ????線性 g參數(shù)模型 cececbcbebebgrgrgr/1/1/139。39。bibevci＋ － cev＋ － cegbemvgebg39。 cbg39。39。39。39。39。cebecbcecbcebecbmcecbcecbbecbbecbcecebemcvvgvggvggvgvgvgvgvgvgi????????????)()( 39。39。39。39。39。輸出短路時(shí)的正向傳輸電導(dǎo)（ 跨導(dǎo) ） mg輸入短路時(shí)的輸出電導(dǎo) ceg輸入短路時(shí)的反向傳輸電導(dǎo) cbg39。QCEBcb vig????39。 視三極管為二端口網(wǎng)絡(luò)，利用端口電流電壓關(guān)系，得到 網(wǎng)絡(luò)參數(shù)模型 。此網(wǎng)絡(luò)具有和三極管相同的端電壓、電流關(guān)系，為三極管的小信號(hào)模型。 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 小信號(hào)的范圍 TiTBEQTiBEQTBEVvVVSVvVSVvSC eeIeIeIi ????TB E QVVSCQ eII ?VBEQ對(duì)應(yīng)的靜態(tài)電流為 Ti VvCQC eIi /?1?TiVv時(shí)，上式可展開成冪級(jí)數(shù) ?????????? ......)(!211 2TiTiCQC VvVvIicCQC iIi ??.. ... .!22????????????TiCQiTCQc VvIvVIi武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 ......!22???????????TiCQiTCQc VvIvVIi忽略二次方及以上項(xiàng)可得 : imiTCQc vgvVIi ??TCQm VIg /?三極管的 跨導(dǎo) ： 此時(shí)，輸出電流瞬時(shí)值與輸入電壓瞬時(shí)值成線性關(guān)系。 加入 vi， 電路中的瞬時(shí)值為靜態(tài)值與交流瞬時(shí)值的疊加。 NPN管 UC ＞ UB ＞ UE PNP管 UC ＜ UB ＜ UE 。 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 例 [3]：測得工作在放大電路中幾個(gè)晶體管三個(gè)電極的電位 U U U3分別為： （ 1） U1=、 U2=、 U3=12V （ 2） U1=6V、 U2=、 U3=12V 判斷它們是 NPN型還是 PNP型 ？ 是硅管還是鍺管 ？ 并確定 e、 b、 c。 管 腳、管型的判斷法也可采用萬用表電阻法。 IE=IB+ IC A B C IA IB IC C為發(fā)射極 B為基極 A為集電極。 解：電流判斷法。 對(duì)應(yīng) iB ＝ 0（ iC ＝ ICEO）的擊穿電壓為 V (BR)CEO 對(duì)應(yīng) iE ＝ 0（ iB ＝ ICBO）的擊穿電壓為 V (BR)CBO 截止區(qū) ： 00 ??????C B OCBE Iiii ，AV0?Bi1Bi2Bi3Bi4BiCiCEv截止區(qū) 放大區(qū) 飽和區(qū) 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 三 極管的主要參數(shù) 集電結(jié)反向飽和電流 ICBO 集電極穿透電流 ICEO ICEO=(1+β)ICBO 電流傳輸系數(shù)（放大倍數(shù)） 極間反向飽和電流 發(fā)射結(jié)反向飽和電流 IEBO 結(jié)電容 發(fā)射結(jié)電容 Cb’e 集電結(jié)電容 Cb’c 電流放大系數(shù) 、 α、 β ??、武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 極限參數(shù) 集電極最大允許電流 ICM 反向擊穿電壓 V(BR)CEO 、 V (BR)CEO 、 V (BR)CBO 集電極最大允許耗散功率 PCM 使用時(shí)不允許超 過這些極限參數(shù) . V(BR)CEO PCM=ICVCE ICM 安全工作區(qū) 過損區(qū) iC/mA O vCE 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 溫度對(duì)三極管參數(shù)及特性的影響 溫度 T ? 少子濃度 ? IC ? ICBO ? , ICEO ? IB ? VBE ? 載流子運(yùn)動(dòng)加劇，發(fā)射相同數(shù)量載流子所需電壓 ? bBECCBRVVI ??輸入特性曲線 左移 ? ? 載流子運(yùn)動(dòng)加劇，多子穿過基區(qū)的速度加快，復(fù)合減少 輸出特性 曲線 上移 輸出特性 曲線族間隔加寬 溫度每上升 l℃ ， β值約增大 ～ 1％ 溫度上升 10℃ ，ICEO將增加一倍 溫度上升 1℃ ， VBE將下降 2～ 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 三極管工作狀態(tài)的判斷 [例 1]： 測量某 NPN型 BJT各電極對(duì)地的電壓值如下，試判別管子工作在什么區(qū)域？ （ 1） VC ＝ 6V VB ＝ VE ＝ 0V （ 2） VC ＝ 6V VB ＝ 4V VE ＝ （ 3） VC ＝ VB ＝ 4V VE ＝ 解： 原則： 正偏 反偏 反偏 集電結(jié) 正偏 正偏 反偏 發(fā)射結(jié) 飽和 放大 截止 對(duì) NPN管而言，放大時(shí) VC ＞ VB ＞ VE 對(duì) PNP管而言，放大時(shí) VC ＜ VB ＜ VE （ 1）放大區(qū) （ 2）截止區(qū) （ 3）飽和區(qū) |VBE|≈ 發(fā)射結(jié)正向?qū)〞r(shí) 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 [例 2] 某放大電路中 BJT三個(gè)電極的電流如圖所示。輸出特性曲線向左延伸交于一點(diǎn)，相應(yīng)的電壓 VA稱為 厄爾利電壓 。 臨界飽和線 臨界飽和線 ： vCB＝ 0為集電結(jié)處于正偏和反偏的臨界值，對(duì)應(yīng)的曲線為臨界飽和線。 iC隨 vCE增大而增大。 Bi BEv C B OE B O II ? ?CEvVvCE 0?EBOBRV )( 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 輸出特性曲線 常數(shù)?? BiCEC vfi )(0?Bi1Bi2Bi3Bi4BiCiCEv0?CBv截止區(qū) 放大區(qū) 飽和區(qū) 放大區(qū) ： vCB0,發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏， iC隨 iB線性變化。 00 ?? BCBE vv 且 兩個(gè)結(jié)反偏， iB為兩結(jié)反向電流之和。 0?CEv 集電結(jié)由正偏轉(zhuǎn)為反偏，管子由飽和向放大狀態(tài)轉(zhuǎn)化， iB大大減小。 CBOEC Iii ?? ? ECii???? 共基組態(tài) 交流電流傳輸系數(shù) 基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng) 導(dǎo)致 曲線隨 vCB增加而略微上傾 ?? ?低頻時(shí)， 截止區(qū) ： 000 ?????BC B OCE iIii ，飽和區(qū) ： vCB0,集電結(jié)正偏， iC隨之下降，達(dá)到飽和。一般 ? = ? 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 三 極管的伏安特性曲線 常數(shù)?? CBvBEE vfi )(共基電路特性曲線 輸入特性曲線 )1( / ?? TBE VvESE eIi基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng) 導(dǎo)致輸出電壓的增加使曲線左移。 共發(fā)射極接法 ，發(fā)射極作為公共電極，用 CE表示； 如何判斷組態(tài)？ 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 PNP 管： VBE0 VBC0 即 VCVBVE c e b NPN 管： VBE0 VBC0 即 VCVBVE c e b 發(fā)射結(jié)正向偏置 集電結(jié)反向偏置 晶體管具有電流放大作用的外部條件： IE IB RB VEE IC VCC 輸入電路 輸出電路 RC b c e 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 三極管的工作狀態(tài) BCVBEV正偏 正偏 反偏 反偏 飽和區(qū) 反向工 作區(qū) 截止區(qū) 正向工 作區(qū) 小信號(hào)放大電路 的工作區(qū) 武漢大學(xué)電子信息學(xué)院 三 極管放大區(qū)的工作原理 VEE RB N P N 發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散電子 電子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合 電子電子 電子電源負(fù)極向發(fā)射區(qū)補(bǔ)充電子形成發(fā)射極電流 IE IE EB正極拉走電子，補(bǔ)充被復(fù)合的空穴，形成 IB 電子電子 空穴IB 集電區(qū)收集電子 電子 電子電子 電子 電子 電子流向電源正極形成 IC 電子電子電子 IC 電子電子電子 電子電子 電子電子電子電子電子電子 電子電子 電子空穴空穴電子電子 電子電子電子電子電子 電子電子電子電子 電子空穴電子 電子空穴 電子電子電子電子電子 電子電子電子 電子電子電子 電子電子發(fā)射極注入載流子 電子在基區(qū)中的擴(kuò)散與復(fù)合 集電區(qū)收集電子 三極管的載流子運(yùn)動(dòng)過程 武漢大學(xué)