半導(dǎo)體器件緒論ppt課件-文庫吧資料
2025-04-19 23:58本頁面
【正文】 子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 36 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 37 Biosensor Arrays 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 38 Si Nanowires as DNA sensors Microfluidic process PNADNA duplex PNA receptor Lieber, 4, 51, 2022 Avidinmodified NW was linked with biotinylated PNA probes, and followed by DNA hybridization. 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 39 Si Construction of DNA / Protein Chips Automated Measurements Array of Sensors with various Probe molecules Key challenge: Selective functionalization of different nanowires? 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 40 按比例縮小的主要挑戰(zhàn) ? 超大尺寸晶片的不斷增大 ? 亞 100nm分辨率的光刻系統(tǒng) ? 超小尺寸的邏輯存貯器件 ? 多級互連的寄生 RC延遲 ? 微電子產(chǎn)業(yè)的高額投資 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 41 微電子小型化的極限 ? 固體的最小尺寸 ? 功耗限制 ? 電壓或電流感應(yīng)擊穿的限制 ? 噪聲限制 ? Heisenberg不確定原理的限制 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 42 解決途徑 ? 新材料：非晶硅，多晶硅， SiGe， Ⅲ Ⅴ 族復(fù)合半導(dǎo)體，有機(jī)材料，寬禁帶半導(dǎo)體（ SiC、 GaN） ? 新結(jié)構(gòu)器件 ? 新互連方法：銅連線、低 K，光連接等。 3. Tensile strength ~ 200 GPa. CNT can be metallic or semiconducting, depending on chirality. 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 31 CNT FETs Gate 8nm HfO2 SiO2 p++ Si Pd Pd CNT Delft : Tans, et al., Nature, 393, 49, 1998 Javey, et al., Nano Letters, 4, 1319, 2022 Appenzeller, et al., PRL, 93, 19, 2022 Drain Source Gate Drain Source Gate Sapphire Substrate Gate Oxide Liu, et al., Nano Letters, 6, 34, 2022 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 32 T
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