半導(dǎo)體器件緒論ppt課件(參考版)
2025-04-16 23:58本頁(yè)面
【正文】 《 半導(dǎo)體物理學(xué) 》 劉恩科、朱秉升、羅晉生等，國(guó)防工業(yè)出版社 1997。 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 47 教材及主要參考書 ? 教材： 《 半導(dǎo)體器件物理 》 孟慶巨 劉海波 孟慶輝編著，科學(xué)出版社， 2022年 《 半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ) 》 曾樹(shù)榮編著，北京大學(xué)出版社， 2022年 ? 參考書： S. ,Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed, Wiley, 1981 《 半導(dǎo)體器件物理 》 ，黃振崗譯，北京電子工業(yè)出版社， 1989年 《 半導(dǎo)體器件物理 》 劉樹(shù)林、張華曹、柴常春，電子工業(yè)出版社， 2022 《 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 》 Robert F. Pierret著，黃如等譯，電子工業(yè)出版社，2022 《 半導(dǎo)體器件物理與工藝 》 ，王陽(yáng)元譯，北京科學(xué)出版社，1992年 《 晶體管原理 》 劉永、張福海著，北京國(guó)防工業(yè)出版社。 ? 基礎(chǔ)：半導(dǎo)體物理基本概念、 p－ n結(jié)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 ? 第六章：新型器件介紹 微波器件， 隧道二極管，共振隧穿二極管 RTD，碰撞電離雪崩二極管 IMPATT，轉(zhuǎn)移電子器件。 課程章節(jié) 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 46 課程章節(jié) ? 第四章： 單極型器件 金半接觸，肖特基勢(shì)壘二極管，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，肖特基柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，異質(zhì)結(jié) MESFET。 ? 第二章： pn結(jié) 熱平衡下的 pn結(jié)，耗盡區(qū)（耗盡層）和耗盡層電容，直流特性， pn結(jié)的瞬態(tài)特性，結(jié)擊穿，異質(zhì)結(jié)與高低結(jié)。 ? 掌握研究半導(dǎo)體器件工作原理和器件特性的基本方法，為從事半導(dǎo)體器件的研制和應(yīng)用打下基礎(chǔ)。 2. Electron transfer from K to the nanotube reverts the doping from p type to n type. Ntype Field Effect Transistor 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 35 Integrated Nanotube Systems: Complementary Carbon Nanotube Inverter Carbon Nanotube FieldEffect Inverters, X. Liu, R. Lee, J. Han, C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 79, 3329 (2022). One of the first integrated systems made of carbon nanotubes. Si back gate K Vin Vout VDD GND ptype CNT ntype CNT 6040200I DS(nA)4 2 0 2 4Vg(V )VDS= 10 mVP type MOSFET: 12840I DS (nA)4 2 0 2 4Vg (V )VDS= 10 mVN type MOSFET: Vout(V)Vin(V )VDD= VVin Vout 0 V VDD p n 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電
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