半導體器件緒論ppt課件-wenkub.com
2025-04-10 23:58 本頁面
【正文】 《 半導體器件：電力、敏感、光子微波器件 》 劉剛、岳輝著，北京科學出版社。 光電子器件， 發(fā)光二極管，半導體激光器，光電探測器，太陽能電池，量子阱激光器。 ? 第三章： 雙極型晶體管 基本原理，靜態(tài)特性，頻率響應和開關特性，異質結晶體管 HBT、可控硅器件。 ? 深亞微米尺度下器件和電路設計 CAD工具 ? 新電路 ? 新電源：板上太陽能，生物電，空間微波等 ? 納米技術 ? 3D電路 中國科學技術大學物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 43 小結 總結與展望： ? 雙極型晶體管 ? 化合物半導體器件 ? MOSFET ? 功率器件 ? 量子器件 ? 光電子器件 中國科學技術大學物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 44 內(nèi)容：課程章節(jié) ? 本課是一門重要的專業(yè)基礎課 ? 了解半導體器件的工作原理，物理概念和器件特性。 Rich and versatile properties. 中國科學技術大學物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 30 CNT is a tubular form of carbon with diameter as small as 1 nm. Length: few nm to cm. CNT is configurationally equivalent to a two dimensional graphene sheet rolled into a tube. CNT exhibits: 1. Carrier mobility ~ 100,000 cm2/Vs 2. Young’s modulus over 1 Tera Pascal, as stiff as diamond。 在技術上，摩爾定律依然勇往直前 中國科學技術大學物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 24 Si Substrate Metal Gate Highk TriGate S G D IIIV S Carbon Nanotube FET 50 nm 35 nm 30 nm SiGe S/D Strained Silicon Future options subject to research amp。 change SiGe S/D Strained Silicon Source: Intel 20 nm 10 nm 5 nm5 nm Nanowire Transistor Research Research Options: HighK amp。 3. Tensile strength ~ 200 GPa. CNT can be metallic or semiconducting, depending on chirality. 中國科學技術大學物理系微電子專業(yè) 2022/4/14 Semiconductor Devices 31 CNT FETs Gate 8nm HfO2 SiO2 p++ Si Pd Pd CNT Delft : Tans, et al., Nature, 393, 49, 1998 Javey, et al., Nano Letters, 4, 1319, 2022 Ap
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