半導(dǎo)體器件bwuppt課件(參考版)
2025-01-22 01:25本頁面
【正文】 二、光敏晶體管 B E C E C IC UCE 光照增強(qiáng) 第一章 結(jié)束 。 I U 照度增加 一、光敏二極管 上 頁 返 回 181 光敏二極管的主要參數(shù)有： 1. 暗電流 無光照時(shí)的反向飽和電流 3. 靈敏度 給定波長(zhǎng)單位光功率產(chǎn)生的光電流 2. 光電流 額定照度下的反向電流 4. 峰值波長(zhǎng) 使光敏二極管具有最高響應(yīng)靈敏度的光波長(zhǎng) 5. 響應(yīng)時(shí)間 光電流達(dá)到穩(wěn)定值的 63%所需要的時(shí)間 上 頁 返 回 182 將光敏二極管和晶體管組合即成光敏晶體管。 167。 iD=f(uDS)| uGS=常數(shù) ID mA V UDS UGS G S D 實(shí)驗(yàn)線路 (共源極接法 ) 上 頁 返 回 171 UGS=0V U DS （ V） ID（ mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=1V UGS=2V 夾斷電壓 UP=2V 固定一個(gè) U DS，畫出 ID和 UGS的關(guān)系曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線 上 頁 返 回 172 0 ID UGS 2. 轉(zhuǎn)移特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線是指以 uDS為參變量時(shí) ,iD和 uGS的關(guān)系。 場(chǎng)效晶體管 上 頁 返 回 148 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào) P型基底 兩個(gè) N區(qū) SiO2絕緣層 導(dǎo)電溝道 金屬鋁 G S D N溝道增強(qiáng)型 P N N G S D Ssource Ggate Ddrain 上 頁 返 回 149 放大等效 上 頁 返 回 150 截止等效 上 頁 返 回 151 飽和等效 上 頁 返 回 152 結(jié)論 上 頁 返 回 153 上 頁 返 回 154 上 頁 返 回 155 上 頁 返 回 156 二、 MOS管的工作原理 上 頁 返 回 157 上 頁 返 回 158 上 頁 返 回 159 上 頁 返 回 160 上 頁 返 回 161 截止等效 上 頁 返 回 162 上 頁 返 回 163 飽和等效 上 頁 返 回 164 N溝道增強(qiáng)型 上 頁 返 回 165 N溝道耗盡型 上 頁 返 回 166 P溝道增強(qiáng)型 上 頁 返 回 167 P溝道耗盡型 上 頁 返 回 168 三、增強(qiáng)型 N溝道 MOS管的特性曲線 1. 轉(zhuǎn)移特性曲線 0 ID UGS UGS(th) UGS(th) 開啟電壓 2)(1 ??????????thGSGSDOD UUIIIDO為 UGS=2 UGS(th) 時(shí)的 ID值。 _ _ _???BCII? ???????BCII?在以后的計(jì)算中，一般作近似處理： ? = ?上 頁 返 回 147 場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管不同，它是多子導(dǎo)電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。 共射 直流電流放大倍數(shù) ： BCII?___?工作于動(dòng)態(tài)的三極管，真正的信號(hào)是疊加在直流上的交流信號(hào)。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V時(shí)： 9m A01070 702 ..R UUIBBESBB ?????上 頁 返 回 144 USB =5V時(shí) : 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時(shí)， 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn) Q位 于哪個(gè)區(qū)？ ICUCE IB USC RB USB C
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