半導(dǎo)體器件bwuppt課件(完整版)
【正文】 G S D N溝道增強(qiáng)型 P N N G S D Ssource Ggate Ddrain 上 頁 返 回 149 放大等效 上 頁 返 回 150 截止等效 上 頁 返 回 151 飽和等效 上 頁 返 回 152 結(jié)論 上 頁 返 回 153 上 頁 返 回 154 上 頁 返 回 155 上 頁 返 回 156 二、 MOS管的工作原理 上 頁 返 回 157 上 頁 返 回 158 上 頁 返 回 159 上 頁 返 回 160 上 頁 返 回 161 截止等效 上 頁 返 回 162 上 頁 返 回 163 飽和等效 上 頁 返 回 164 N溝道增強(qiáng)型 上 頁 返 回 165 N溝道耗盡型 上 頁 返 回 166 P溝道增強(qiáng)型 上 頁 返 回 167 P溝道耗盡型 上 頁 返 回 168 三、增強(qiáng)型 N溝道 MOS管的特性曲線 1. 轉(zhuǎn)移特性曲線 0 ID UGS UGS(th) UGS(th) 開啟電壓 2)(1 ??????????thGSGSDOD UUIIIDO為 UGS=2 UGS(th) 時(shí)的 ID值。 二、光敏晶體管 B E C E C IC UCE 光照增強(qiáng) 第一章 結(jié)束 。 iD=f(uDS)| uGS=常數(shù) ID mA V UDS UGS G S D 實(shí)驗(yàn)線路 (共源極接法 ) 上 頁 返 回 171 UGS=0V U DS （ V） ID（ mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=1V UGS=2V 夾斷電壓 UP=2V 固定一個(gè) U DS，畫出 ID和 UGS的關(guān)系曲線，稱為轉(zhuǎn)移特性曲線 上 頁 返 回 172 0 ID UGS 2. 轉(zhuǎn)移特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線是指以 uDS為參變量時(shí) ,iD和 uGS的關(guān)系。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V時(shí)： 9m A01070 702 ..R UUIBBESBB ?????上 頁 返 回 144 USB =5V時(shí) : 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時(shí)， 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn) Q位 于哪個(gè)區(qū)？ ICUCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于飽和區(qū)，此時(shí) IC 和 IB 已不是 ? 倍的關(guān)系。 UCE=0V UCE = 死區(qū)電壓，硅管 ，鍺管 。 （ 5）最大允許功耗 m a xZZZM IUP ?（ 1） 穩(wěn)定電壓 UZ （ 2） 電壓溫度系數(shù) ?U（ %/℃ ） 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。 導(dǎo)通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。由于電源的作用，擴(kuò)散運(yùn)動不斷地進(jìn)行，形成正向電流，正向電阻很小。 上 頁 返 回 114 P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動 內(nèi)電場 E 漂移運(yùn)動 擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬。 上 頁 返 回 19 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)
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