常用半導體器件場效應管及應用(完整版)
【正文】 移特性和輸出特性綜合對比 場效應管主要參數 一、直流參數： （ 1）開啟電壓 UGS(th) 或 VT： 開啟電壓是 增強型 MOS管的參數， UDS為常數使 iD為規(guī)定電流（ 5μ A）時的 UGS。 ? JFET柵極與溝道間的 PN結 是 反向偏置 的，因此 iG?0，輸入電阻 很高 。 難點 ： 電流溝道 重點難點 結型場效應管 (JFET) 絕緣柵型場效應管 (MOSFET) 場效應管主要參數 場效應管與晶體管的比較 場效應管 (FET,Feiled Effictive Trsnsister) 利用輸入回路 電壓 控制輸出回路 電流 的半導體器件（ 壓控器件 ）。 ? UDS ? ?夾斷區(qū)延長 , 但 ID基本不變 (恒流特性 )— 平衡作用 g d s P+ N P+ ? UGDUGS(OFF) ? UGD=UGS(OFF) ? UGDUGS(OFF) （ UGD=UGSUSD） 2. 工作原理 ③ UGS和 UDS同時作用時 c on s t .DSD GS)( ?? uuufi2. 轉移特性 c o ns t .GSD DS)( ?? uufi1. 輸出特性 二、 N溝道 JEFT 特性曲線 )0()1( GSG S ( of f )2G S ( O F F )GSD S SD ???? uUUuIiUGS(off) 0 iD uGS UGS(off) N溝道 JFET管的特性曲線 轉移特性 曲線 iD uDS 0 輸出特性 曲線 UGS=0V IDO UGS=UGS(off) IDSS 予夾斷軌跡 夾斷區(qū) 恒流區(qū) 可變電阻區(qū) )0()1(GSGS ( o f f )2GS ( OF F )GSDS SD????uUUuIi飽和 漏極電流 夾斷電壓 輸出特性 曲線 轉移特性 曲線 P溝道 JEFT 特性曲線 予夾斷曲線 iD U DS 2V UGS=0V 1V 3V 4V 5V 可變電阻區(qū) 夾斷區(qū) 恒流區(qū) 0 uGS 0 iD IDSS UGS(off) 飽和漏極電流 夾斷電壓 UGS(off) 綜上分析可知（結論） （ 1）當 UDS使 |UGD||UGS(OFF)|時，預夾斷前， iD與 vDS呈近似線性關系（ 可變電阻區(qū)域 ）； （ 2）當 UDS使 |UGD|=|UGS(OFF)|時， DS間 預夾
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