常用半導(dǎo)體器件場(chǎng)效應(yīng)管及應(yīng)用(更新版)
【正文】 斷 。 導(dǎo)電溝道中的電子 ， 因與 P型半導(dǎo)體的載流子空穴極性相反 ， 故稱(chēng)為 反型層 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 3. 工作原理 UGS=0 UGD UGS(th) UGS UGS(th) UGD=UGS(th) UDS=0 UGSUGS(th) s d B g s d B g s d B g s d B g N+ N+ N+ N+ N+ N+ N+ P P P P 耗盡層 耗盡層 反型層 UGS 0 ID UGS(th) UDS ↑ 0 iD uGS UGS(th) 4. N溝道增強(qiáng)型 FET管的特 性曲線 轉(zhuǎn)移特性 曲線 iD u GS 0 輸出特性 曲線 UGS=2UGS(th) IDO UGS=UGS(th) IDO 2UGS(th) 予夾斷軌跡 可變電阻區(qū) 夾斷區(qū) 恒流區(qū) N溝道 增強(qiáng)型 MOS管 N溝道 耗盡型 MOS管 二、 N溝道 耗盡型 MOSFET 虛線表示初試無(wú)溝道 摻入正離子 N溝道 耗盡型 FET管的特性曲線 耗盡型的 MOS管 UGS=0時(shí)就有導(dǎo)電溝道，加反向電壓才能夾斷。 （ 4）輸入電阻 RGS 輸出電阻 rDS 柵源輸入電阻 ， 結(jié)型 FET，反偏時(shí) RGS≈10 7Ω，對(duì)于絕緣柵型 FET, RGS≈10 9～ 1015Ω。 2. 場(chǎng)效應(yīng)管是單極型電壓控制器件， 輸入電阻高 ，一 般可達(dá) 109?。 gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取 ， 單位是 mS(毫西門(mén)子 )。 輸入可正可負(fù) 。 （ 4）完全夾斷， iD=0,相當(dāng)三極管截止。模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 北京航空航天大學(xué)儀器科學(xué)與光電工程學(xué)院 主講 ：趙建輝 第一章 常用半導(dǎo)體器件 ( ) 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管 雙極型晶體管 場(chǎng)效應(yīng)管 單結(jié)晶體管和晶閘管 集成電路中的元件 第 1章 常用半導(dǎo)體器件 本節(jié)課內(nèi)容 ?自學(xué) ,不要求 場(chǎng)效應(yīng)管 (FET) 重點(diǎn) ： 場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)、放大 原理 、 特性曲線 。 （ 3）當(dāng) UDS使 |UGD||UGS(OFF)|時(shí) ,預(yù) (未完全 )夾斷， iD趨于恒定飽和， iD只受到 UGS控制，與 UDS無(wú)關(guān)（ 壓控電流源 ）。 耗盡型的 管 時(shí)就有導(dǎo)電溝道，加反向電壓才能夾斷。 二 、 交流參數(shù)： ⑤ 低頻跨導(dǎo) gm 反映了 柵壓 對(duì) 漏極電流 的控制作用 ， 與三極管的控制作用相似 。 小 結(jié) 第一章 作業(yè)
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