半導(dǎo)體器件bwuppt課件-文庫吧在線文庫
【正文】 P P G S D G S D 預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 上 頁 返 回 177 主要參數(shù) 1. 跨導(dǎo) gm 常數(shù)????DSUGSDm UIg2. 通態(tài)電阻 3. 最大漏、源極擊穿電壓 UDS（ BR） 4. 漏極最大耗散功率 PDM 上 頁 返 回 178 小信號模型 ugs + + – – uds id uds ugs + – – id + gmugs 上 頁 返 回 179 顯示器件 有正向電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。 mA0 61070 705 ..R UUIBBESBB ?????IBIBS= 上 頁 返 回 145 三、主要參數(shù) 前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。 上 頁 返 回 138 二、 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域滿足IC=?IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。 （ 3）動態(tài)電阻 ZZIUZr ??? 穩(wěn)壓二極管的參數(shù) 上 頁 返 回 128 要求 當輸入電壓由正常值發(fā)生 ?20%波動時，負載電壓基本不變。 反向擊穿電壓 UBR 上 頁 返 回 124 二極管： 死區(qū)電壓 =0 .5V，正向壓降 ?(硅二極管 ) 理想二極管： 死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 RL ui uo ui uo t t 例 二極管半波整流 二極管的應(yīng)用 上 頁 返 回 125 例 二極管門電路如圖所示，設(shè) DA、 DB為理想二極管，已知 A、 B端的電位分別為 0V、 3V和 3V、 0V，求輸出端F的電位 VF。 上 頁 返 回 120 二、 PN 結(jié)反向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場 外電場 變厚 N P + _ 內(nèi)電場被被加強，多子的擴散受抑制。 內(nèi)電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。 熱敏性： 當環(huán)境溫度升高時，導(dǎo)電能力顯著增強 (可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻 )。 場效晶體管 167。 二極管 167。 半導(dǎo)體的基本知識與 PN結(jié) 上 頁 返 回 15 半導(dǎo)體 的導(dǎo)電機理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點。 本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成： 1. 自由電子移動產(chǎn)生的電流。 二、 P 型半導(dǎo)體 P 型半導(dǎo)體中空穴是多子，電子是少子 。 上 頁 返 回 118 － － － － + + + + R E 一、 PN 結(jié)正向偏置 內(nèi)電場 外電場 變薄 P N + _ 內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。 P N 二極管的電路符號： 167。 167。 mA10m i n ???LZWz RUIi ???? RUiRu zWi—— 方程 2 uo iZ DZ R iL i ui RL 聯(lián)立方程 2，可解得： ??? k50V7518 .R,.u i上 頁 返 回 130 基本結(jié)構(gòu) B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 167。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB 0IBIBS (2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 場效晶體管 上 頁 返 回 148 絕緣柵場效應(yīng)管 一、結(jié)構(gòu)和電路符號 P型基底 兩個 N區(qū) SiO2絕緣層 導(dǎo)電溝道 金屬鋁
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