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正文內(nèi)容

半導(dǎo)體器件的特性ppt課件(參考版)

2025-05-09 12:44本頁(yè)面
  

【正文】 ?三種器件:非線(xiàn)性器件,特性曲線(xiàn)。 ?雙極型晶體管:電流控制器件。 ?載流子的兩種運(yùn)動(dòng)方式:擴(kuò)散和漂移。 場(chǎng)效應(yīng)管 5 場(chǎng)效應(yīng)管除了可用作放大器件和可控開(kāi)關(guān)外,還可用作壓控可變線(xiàn)性電阻。 7 場(chǎng)效應(yīng)管集成工藝更簡(jiǎn)單、功耗小、工作電源電壓范圍寬,使之更多地應(yīng)用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。 4 場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極可以互換,而互換后特性變化不大;晶體管的集電極和發(fā)射極互換后特性相差很大。 2 場(chǎng)效應(yīng)管以柵 源電壓控制漏極電流,是電壓控制型器件,且只有多子參與導(dǎo)電,是單極性晶體管;三極管以基極電流控制集電極電流,是電流控制型器件,晶體管內(nèi)既有多子又有少子參與導(dǎo)電,是雙極性晶體管。因此,無(wú)論是工作中還是存放的 MOS管,都應(yīng)為柵 源之間提供直流通路,避免柵極懸空;同時(shí),在焊接時(shí),要將烙鐵良好接地。 2 場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換,但若產(chǎn)品源極已接襯底,則不能互換。 ③ 最大耗散功率 PDM :決定于管子允許的溫升。 (三)極限參數(shù) ① 最大漏極電流 IDM:管子正常工作時(shí)漏極電流的上限值。 場(chǎng)效應(yīng)管 ② 極間電容: Cgs和 Cgd約為 1~3pF,和 Cds約為 ~1pF。 (二)交流參數(shù) ① 低頻跨導(dǎo) gm:低頻跨導(dǎo)反映了 vGS對(duì) iD的控制作用。 ③ 飽和漏極電流 IDSS:對(duì)耗盡型 MOS管或 JFET , VGS=0時(shí)對(duì)應(yīng)的漏極電流。 三、特性曲線(xiàn) 1 輸出特性 2 轉(zhuǎn)移特性 場(chǎng)效應(yīng)管 ( ) | GSD D S VI f V?( ) | DSD G S VI f V?輸出特性:分為三個(gè)區(qū) 可變電阻區(qū) 恒流區(qū)(放大工作區(qū)) 擊穿區(qū) 輸出特性曲線(xiàn)和轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn) 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道特性曲線(xiàn) 場(chǎng)效應(yīng)管 (一)直流參數(shù) ① 開(kāi)啟電壓 VGS(th):對(duì)增強(qiáng)型 MOS管,當(dāng) VDS為定值時(shí),使ID剛好大于 0時(shí)對(duì)應(yīng)的 VGS值。 若在漏源極間加上適當(dāng)電壓,溝道中有 電流 ID流過(guò)。 VGS繼續(xù) 減小,溝道繼續(xù)變窄,當(dāng)溝道夾斷時(shí), 對(duì)應(yīng)的柵源電壓 VGS稱(chēng)為夾斷電壓 VP ( 或 VGS(off) )。 小結(jié) 本講主要介紹了以下基本內(nèi)容: ? 雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)和類(lèi)型: NPN、 PNP ? 晶體管的電流放大作用和電流分配關(guān)系 ? 晶體管具有放大作用的內(nèi)部條件 ? 晶體管具有放大作用的外部條件 ? 晶體管直流電流傳輸方程 ? 三種不同的連接方式:共基極、共發(fā)射極和共集電極 ? 晶體管的共射組態(tài)曲線(xiàn)特性 ? 晶體管的主要參數(shù) 雙極型晶體管 特點(diǎn): 利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)控制輸出回路的電流;僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電(單極型晶體管);輸入阻抗高( 107~1012?),噪聲低,熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強(qiáng),功耗小。 V(BR)CEO—— 基極開(kāi)路,集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。反向飽和電流存在。飽和時(shí)集電結(jié)、發(fā)射結(jié)都正偏。 iB失去對(duì) iC控制作用,失去放大作用,飽和。此時(shí),發(fā)射結(jié) 正偏,集電結(jié)反偏 。 后,曲線(xiàn)基本不變,電流分配關(guān) 系確定。 雙極型晶體管 管內(nèi)載流子的傳輸過(guò)程 傳輸過(guò)程可分三步:
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