半導(dǎo)體器件bwuppt課件(更新版)
【正文】 ，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。 光敏性： 當(dāng)受到光照時，導(dǎo)電能力明顯變化 (可做成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏 二極管、光敏三極管等 )。 雙極結(jié)型晶體管 167。 穩(wěn)壓二極管 167。例如： 摻雜性 ： 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，導(dǎo)電 能力明顯改變 (可做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如二 極管、三極管和晶閘管等）。 2. 空穴移動產(chǎn)生的電流。 一、 N 型半導(dǎo)體 上 頁 返 回 113 PN 結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了 PN 結(jié)。 上 頁 返 回 119 單向?qū)щ娦? PN結(jié)加正向電壓導(dǎo)通 ? 當(dāng) PN結(jié)加正向電壓時，外電場與內(nèi)電場方向相反，空間電荷區(qū)變窄，擴散運動加劇。 二極管 上 頁 返 回 123 伏安特性 U I 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。 穩(wěn)壓二極管 上 頁 返 回 127 （ 4） 穩(wěn)定電流 IZ、 最大、最小穩(wěn)定電流 Izmax、 Izmin。 雙極結(jié)型晶體管 上 頁 返 回 131 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：較薄，摻雜濃度低 集電區(qū)：面積較大 ,雜質(zhì)濃度低 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度較高 上 頁 返 回 132 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 上 頁 返 回 133 B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 上 頁 返 回 134 ? β = ICN/IBN ? IE=IBN+ICN ? IC=ICN+ICB0 ? IB=IBNICB0 ? IC= β IBN+ICB0 ? = β (IB+ICB0)+ICB0= β IB+(1+ β )ICB0 ? = β IB+ICE0 ? ICBO集、基極間反向飽和電流 ? ICE0穿透電流判斷晶體管質(zhì)量的好壞（ IB=0） ? IC= β IB 上 頁 返 回 135 電流分配定律 ? 前提：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置 ? IC= β IB ? IE=IC+IB=(1+ β ） IB 上 頁 返 回 136 特性曲線 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 實驗線路 上 頁 返 回 137 一、 輸入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 工作壓降： 硅管UBE?~,鍺管 UBE?~。 即： UCE?UBE ， IBIBS=VCC/ ? RC，UCE? (3) 截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 上 頁 返 回 142 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時， 晶體管的靜態(tài)工作點 Q位 于哪個區(qū)？ 當(dāng) USB =2V時： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IB 最大飽和電流： IB=VSC/ ?RC =12/50*6= Q位于截止區(qū) 上 頁 返 回 143 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時， 晶體管的靜態(tài)工作點 Q位 于哪個區(qū)？ IB IBS (=) ， Q位于放大區(qū) 。 上 頁 返 回 169 2. 輸出特性曲線 ID U DS 0 UGS(th) 上 頁 返 回 170 1. 輸出特性曲線 四、耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線 輸出特性曲線是指以 uGS為參變量時 ,iD和 uDS
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