半導(dǎo)體器件原理與工藝-文庫吧資料
2025-02-27 15:11本頁面
【正文】 P, B, As, Al, Ga, Sb, Ge 半導(dǎo)體器件原理與工藝 填隙擴(kuò)散機(jī)制 ? 硅原子擠走雜質(zhì)，雜質(zhì)再填隙 半導(dǎo)體器件原理與工藝 兩種擴(kuò)散機(jī)制并存 P, B 同時靠這兩種機(jī)制擴(kuò)散 擠出 機(jī)制 FrankTurnbull機(jī)制 半導(dǎo)體器件原理與工藝 替位式雜質(zhì)又稱慢擴(kuò)散雜質(zhì)，間隙式雜質(zhì)又稱快擴(kuò)散雜質(zhì)，工藝中作為摻雜一般選擇慢擴(kuò)散雜質(zhì)，工藝容易控制 慢擴(kuò)散雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù) 快擴(kuò)散雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù) 擴(kuò)散 雜質(zhì) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 一維擴(kuò)散模型 半導(dǎo)體器件原理與工藝 擴(kuò)散模型 ? 采用連續(xù)性方程 J1 J2 dx ??????????????????????????xCDxxJttxCxJA d xJJAtCA d x),()(12或半導(dǎo)體器件原理與工藝 擴(kuò)散模型 如果 D與 x無關(guān) , Fick第二定律 半導(dǎo)體器件原理與工藝 D的溫度依賴性 ? D=Doexp(EA/kT), 式中 EA是激活能 半導(dǎo)體器件原理與工藝 半導(dǎo)體器件原理與工藝 預(yù)沉積分布 半導(dǎo)體器件原理與工藝 余誤差函數(shù) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 預(yù)沉積 ? 預(yù)沉積劑量 ? 濃度梯度 半導(dǎo)體器件原理與工藝 預(yù)沉積與推進(jìn)后濃度與深度關(guān)系 半導(dǎo)體器件原理與工藝 結(jié)深計算 ? 當(dāng)雜質(zhì)濃度等于襯底濃度時 ,對應(yīng)的深度為 xj ?????????????
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