現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝-文庫吧資料
2025-01-27 03:14本頁面
【正文】 質(zhì)或摻雜原子的析出現(xiàn)象。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 32 線缺陷，亦稱位錯(cuò)－刃形和螺旋。 切割后，用氧化鋁和甘油的混合液研磨，一般研磨到 2μm的平坦度。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 29 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 30 磨光、標(biāo)識(shí)后的晶錠切割。 主標(biāo)志面 －最大的面，用于機(jī)械定向器去固定晶片的位置并確定器件和晶體的相對方向。然后，沿著晶錠長度方向磨出一個(gè)或數(shù)個(gè)平面。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 28 材料特性－晶片切割 晶體生長后，先區(qū)晶仔和晶錠的尾端。當(dāng)爐管向右移動(dòng)時(shí)，融體的一端會(huì)冷卻，通常在左 端放置晶仔以建立特定的晶體生長方向。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 26 在生長砷化鎵晶體時(shí)，為了獲得所需的摻雜濃度，鎘和鋅常被用來作為 P型摻雜劑，而硒、硅和銻用來作 n型摻雜劑。一般用液體氧化硼（ B2O3）將融體密封起來。 有兩種技術(shù)可以生長砷化鎵： Cz法和布理吉曼法。二來可以防止在爐管形成的砷化鎵再次分解。高 純度的砷放置在石墨舟中加熱到 601620 ℃ ；而高純度的鎵放置在另一個(gè) 石墨舟中，加熱到稍高于砷化鎵熔點(diǎn)（ 12401260 ℃ ）的溫度。在氣相中砷以 兩種主要形式存在： As2及 As4?？梢杂谩跋鄨D”來描述。 31 31 3114 14 15S i 2 .62h PSi ??? ? ? ?中 子此過程中部分硅嬗變成為磷而得到 n型摻雜的硅 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 22 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 23 砷化鎵晶體的生長技術(shù)－起始材料 砷化鎵的起始材料是以物理特性和化學(xué)特性均很純的砷和鎵元素和合成 的多晶砷化鎵。必須用到大面積芯片，對均與度 要求較高。 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 17 從積分式可得 000/e xp( )/e d edek x C A k S LL C A k S L?????或 /0 [ 1 ( 1 ) ]ek x LdeeC A LSkk? ?? ? ?/( )s e dC k S A L??因?yàn)? ，因此 /0 [ 1 ( 1 ) ]ek x LseC C k ?? ? ?現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 18 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 19 現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝 桂林電子科技大學(xué) 晶體生長和外延 20 如果需要的是摻雜而非提純時(shí)，摻雜劑引入第一個(gè)熔區(qū)中 S0＝ ClAρdL， 且初始濃度 C0小到幾乎可以忽略，由前面的積分式可得 0 e xpekxSSL??? ????因?yàn)? ，從上式可得 sedSCkAL?? /ek x Ls e lC k C e ??因
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