半導(dǎo)體器件與工藝(3)-文庫(kù)吧資料
2025-03-05 04:32本頁(yè)面
【正文】 飽和區(qū)的臨界基極電流稱為臨界飽和基極電流。 晶體管的開(kāi)關(guān)特性 飽和區(qū) 在飽和狀態(tài)時(shí)，晶體管的發(fā)射結(jié)處于正向偏置，發(fā)射結(jié)偏壓約為 ，而 C， E間的壓降約為 。晶體管的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)基極輸入脈沖控制集電極回路的通斷來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 晶體管的功率特性 不使晶體管損壞和老化，而且工作可靠性又較高的區(qū)域叫做安全工作區(qū)。 晶體管的功率特性 晶體管的二次擊穿晶體管的功率特性二次擊穿機(jī)理 —電流集中二次擊穿 在晶體管內(nèi)部出現(xiàn)電流局部集中，形成過(guò)熱點(diǎn)，導(dǎo)致該處發(fā)生局部熱擊穿的結(jié)果。晶體管的功率特性 晶體管的二次擊穿 當(dāng)集電極反向偏壓增大到某一值時(shí)，集電極電流急劇增加，出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象，這個(gè)首先出現(xiàn)的擊穿現(xiàn)象稱為一次擊穿。② 在接觸界面處涂覆硅脂。 降低外熱阻：可以通過(guò)減小接觸熱阻，增大散熱面積來(lái)實(shí)現(xiàn)。晶體管的熱阻是表征晶體管工作時(shí)所產(chǎn)生的熱量向外散發(fā)的能力，它表示晶體管散熱能力的大小。顯然與最高結(jié)溫對(duì)應(yīng)的耗散功率就是晶體管的最大允許耗散功率，即 晶體管的最高結(jié)溫是指晶體管能正常地、長(zhǎng)期可靠工作的最高 PN結(jié)溫度。晶體管的功率特性 集電結(jié)最大耗散功率相關(guān)因素 在晶體管的散熱情況和環(huán)境溫度一定時(shí)，消耗的功率越大，管芯的結(jié)溫就越高。 （ 3） 噪聲 在半導(dǎo)體中還存在著一種影響很大的噪聲，叫做噪聲，這種噪聲同頻率有關(guān)，頻率越低，噪聲越大。晶體管的噪聲 噪聲來(lái)源 （ 1）熱噪聲 雜亂無(wú)章的熱運(yùn)動(dòng)疊加在載流子的有規(guī)則的運(yùn)動(dòng)之上，就會(huì)引起電流的起伏，成為噪聲。 晶體管的噪聲噪聲系數(shù) 采用信號(hào)噪聲比（即信號(hào)功率與噪聲功率之比，簡(jiǎn)稱信噪比）來(lái)衡量噪聲的大小。基區(qū)擴(kuò)散的薄層電阻大些，即基區(qū)雜質(zhì)濃度 稍低些，也有利于提高特征頻率。你能否用集電結(jié)在表面處有很大的漏電流來(lái)解釋此種現(xiàn)象？ 晶體管的頻率特性晶體管的頻率特性晶體管的頻率特性曲線和極限頻率參數(shù)晶體管的頻率特性曲線和極限頻率參數(shù)提高特征頻率的途徑減小基區(qū)寬度，并采用擴(kuò)散基區(qū)。你能否用制造過(guò)程不當(dāng)，使基區(qū)過(guò)薄來(lái)解釋此種現(xiàn)象？晶體管的直流電流放大系數(shù) ，發(fā)現(xiàn)輸出特性曲線如圖所示。你能否說(shuō)明這個(gè)輸出特性曲線與標(biāo)準(zhǔn)輸出特性曲線的差別在哪里，原因是什么？ 晶體管的直流電流放大系數(shù) NPN平面管時(shí)，發(fā)現(xiàn)所得到的輸出特性曲線為 “靠背椅 ”式，如圖所示。晶體管的直流電流放大系數(shù)晶體管基區(qū)寬變效應(yīng)晶體管的直流電流放大系數(shù) 習(xí)題 1 在材料種類(lèi)相同、摻雜濃度分布相同、基區(qū)寬度相同的條件下、 PNP晶體管和 NPN晶體管相比，哪種晶體管的發(fā)射結(jié)注入效率較大？哪種晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)較大？ 影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合對(duì)電流放大系數(shù)的影響影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素發(fā)射區(qū)重?fù)诫s對(duì)電流放大系數(shù)的影響影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素基區(qū)寬變效應(yīng)對(duì)電流放大系數(shù)的影響影響晶體管的直流電流放大系數(shù)的因素溫度對(duì)電流放大系數(shù)的影響晶體管的直流伏安特性曲線（共基極）晶體管的直流伏安特性曲線（共射極）兩種組態(tài)輸出特性曲線比較(1) 電流放大系數(shù)的差別(2) 增大對(duì)電流放大系數(shù)的影響(3) 減小對(duì)輸出電流的影響晶體管的穿通電壓 （基區(qū)穿通）晶體管的穿通電壓 （外延層穿通）外延層穿通所決定的擊穿電壓外延層厚度 NPN均勻基區(qū)晶體管的基區(qū)寬度 ，基區(qū)摻雜濃度 ，集電區(qū)摻雜濃度
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1