半導(dǎo)體制造工藝課件-文庫(kù)吧資料
2025-03-05 04:31本頁(yè)面
【正文】 質(zhì)擴(kuò)散的時(shí)間和溫度等，并計(jì)算結(jié)果。2)deposite：淀積材料。(3)仿真語(yǔ)句 仿真語(yǔ)句將工藝過(guò)程的物理基本模型應(yīng)用于設(shè)計(jì)的各種結(jié)構(gòu)。7)stretch：通過(guò)水平或垂直方向的拉伸改變結(jié)構(gòu)的幾何形狀。5)Grid model：定義一個(gè)包含自適應(yīng)網(wǎng)格劃分命令的臨時(shí)文件。3)：定義自動(dòng)生成基本網(wǎng)格時(shí)相鄰網(wǎng)格特性。1)：?jiǎn)?dòng)自適應(yīng)網(wǎng)格劃分算法。5)region：規(guī)定矩形網(wǎng)格和材料的區(qū)域。3)initialize：設(shè)置初始格點(diǎn)、材料的類型及摻雜條件。1)：規(guī)定初始格點(diǎn)的網(wǎng)格參數(shù)。5)輸入文件可以包含英文大小寫，且不區(qū)分大小寫 (特殊字符除外 )?！⊙趸に嚹M3)兩行之間的空行和參數(shù)之間的多余的空格會(huì)忽略掉。1)每一個(gè)語(yǔ)法命令占用一行，如果一行放不下，結(jié)尾處用一個(gè)加號(hào)“+”表示繼續(xù)下一行；每一行不超過(guò) 80個(gè)字符?！⊙趸に嚹M(4)Workbench模塊組 此模塊集成了 Synopsys的 TCAD各模塊工具的圖形前端集成環(huán)境，用戶可以通過(guò)圖形界面來(lái)進(jìn)行半導(dǎo)體研究及其制備工藝模擬和器件仿真的設(shè)計(jì)、組織和運(yùn)行，使用戶可以很容易建立 IC工藝流程，以便 TCAD進(jìn)行模擬，還可以繪制器件的各端口電學(xué)性能等重要參數(shù)。(2)Process模塊組 Process是業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的工藝仿真工具，可以對(duì) IC生產(chǎn)工藝進(jìn)行優(yōu)化以縮短產(chǎn)品開發(fā)周期和產(chǎn)品定型?！」に嚹M器簡(jiǎn)介 目前提供工藝模擬器的主要廠家有 Synopsys和 Sivaco公司?！」に嚹Ｐ? 不同的工藝過(guò)程對(duì)應(yīng)不同的工藝模型，工藝模型就是用數(shù)學(xué)方法表示工藝過(guò)程，目前的很多模型都是經(jīng)驗(yàn)公式。如果在工藝流水線上通過(guò)工藝性實(shí)驗(yàn)流片來(lái)確定合適的工藝條件，往往需要花費(fèi)很長(zhǎng)的周期和很高的成本，有時(shí)還不能得到預(yù)期的效果?！⊙趸さ馁|(zhì)量控制3)濕氧氧化兼有干氧氧化與水汽氧化兩種作用，因此其氧化速度及氧化層質(zhì)量介于干氧氧化及水汽氧化之間。1)干氧氧化中，氧化速度較慢，氧化層結(jié)構(gòu)致密；表面是非極性的硅氧烷 (SiOSi)結(jié)構(gòu)，所以與光刻膠的粘附性能良好，不易產(chǎn)生浮膠現(xiàn)象。(2)氯氣腐蝕法 二氧化硅表面存在的針孔、裂紋等不連續(xù)缺陷，可用氯氣腐蝕法檢測(cè)。解決熱氧化層錯(cuò)的方法很多，如降低氧化爐溫，采用高溫氧化，還可以采用化學(xué)吸附法。1)鈉離子沾污。解決方法是嚴(yán)格刪除襯底材料，氧化前進(jìn)行嚴(yán)格的清洗。解決方法是嚴(yán)格處理硅片表面，對(duì)石英管進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，嚴(yán)格控制水溫和氧氣流量。1)氧化層厚度不均勻。下面分別介紹一下幾種常用的氧化膜厚度測(cè)量方法。如果有一定精度要求，則可以采用雙光干涉法和電容電壓法。5)氧化結(jié)束后要用氮?dú)馀懦龔U氣，一定要把殘留在爐管內(nèi)的氣體，特別是氫氣，排除干凈。3)注意石英管是否蓋緊，不可有漏氣現(xiàn)象發(fā)生。? 氧化設(shè)備圖 47 臥式氧化爐示意圖 氧化設(shè)備圖 48 立式氧化爐的裝置部分 氧化設(shè)備圖 49 摻氯氧化設(shè)備示意圖 氧化設(shè)備圖 410 氫氧合成氧化設(shè)備示意圖 氧化設(shè)備1)氧化前必須檢查注入器噴口前端溫度是否在氫氣的著火點(diǎn)溫度 (585℃ )以上，噴口是否在石英管界面的中心位置上，并從出口處檢查噴口前端是否正常，檢查安放在噴口前端附近的熱電偶是否有斷電現(xiàn)象。 熱氧化原理圖 46 氧化層厚度與氧化溫度的關(guān)系曲線圖
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