【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序,消耗6~8周的時(shí)間,看似復(fù)雜,而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過程,最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個(gè)工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程
2025-03-05 04:30
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設(shè)備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長(zhǎng)一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
2025-03-05 04:31
【摘要】擴(kuò)散半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)本章重點(diǎn)?摻雜的目的;?摻雜的方法;?恒定源擴(kuò)散;?有限源擴(kuò)散;?摻雜:摻雜技術(shù)是在高溫條件下,將雜質(zhì)原子以一定的可控量摻入到半導(dǎo)體中,以改變半導(dǎo)體硅片的導(dǎo)電類型或表面雜質(zhì)濃度。?形成PN結(jié)、電阻?磷(P)、砷(As)——N型硅?硼(B)
2025-03-04 11:58
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第七章?離子注入原理(上)有關(guān)擴(kuò)散方面的主要內(nèi)容?費(fèi)克第二定律的運(yùn)用和特殊解?特征擴(kuò)散長(zhǎng)度的物理含義?非本征擴(kuò)散?常用雜質(zhì)的擴(kuò)散特性及與點(diǎn)缺陷的相互作用?常用擴(kuò)散摻雜方法?常用擴(kuò)散摻雜層的質(zhì)量測(cè)量Distribution?according?
2025-03-05 12:18
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費(fèi)克第二定律的解及其特點(diǎn)?特征擴(kuò)散長(zhǎng)度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴(kuò)散入硅
2025-03-07 14:53
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wafe
2025-03-05 04:28
【摘要】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的v(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理v(2)了解集成電路制造工藝v(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容工藝流程工藝集成v半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu):4個(gè)共價(jià)鍵,比較穩(wěn)定,沒有明顯的自由電子。v1、半導(dǎo)體能帶v禁帶帶隙介于導(dǎo)體和絕緣體之間v2
2025-03-05 12:21
【摘要】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或注入摻雜光刻的目的:光
【摘要】電信學(xué)院微電子教研室半導(dǎo)體制造技術(shù)byMichaelQuirkandJulianSerda淀積電信學(xué)院微電子教研室半導(dǎo)體制造技術(shù)byMichaelQuirkandJulianSerda概述薄膜淀積是芯片加工過程中一個(gè)至關(guān)重要的工藝步驟,通過淀積工藝可以在硅片上生長(zhǎng)導(dǎo)各種導(dǎo)電薄膜層和絕緣薄膜層。
【摘要】集成電路版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證第三章半導(dǎo)體制造工藝簡(jiǎn)介學(xué)習(xí)目的?(1)了解晶體管工作原理,特別是MOS管的工作原理?(2)了解集成電路制造工藝?(3)了解COMS工藝流程主要內(nèi)容??工藝流程?工藝集成?半導(dǎo)體硅原子結(jié)構(gòu):4個(gè)共價(jià)鍵,比較穩(wěn)定,沒有明顯的自由電子。
2025-05-05 04:54
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為?前段(FrontEnd)制程晶圓處理制程(Wa
2025-03-05 04:29
【摘要】第八章光刻哈爾濱工程大學(xué)微電子學(xué)半導(dǎo)體器件與工藝光刻工藝是半導(dǎo)體工藝過程中非常重要的一道工序,它是用來在晶圓表面建立圖形的工藝過程。這個(gè)工藝過程的目標(biāo)有兩個(gè)。首先是在晶圓表面建立盡可能接近設(shè)計(jì)規(guī)則中所要求尺寸的圖形;第二個(gè)目標(biāo)是在晶圓表面正確定位圖形。整個(gè)電路圖形必須被正確地定位于晶圓表面,電路圖形上單獨(dú)的每一部分之間的相對(duì)位置也必須是
2025-03-05 04:32
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-03-02 01:36
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝半導(dǎo)體制造工藝l微電子學(xué):Microelectronicsl微電子學(xué)——微型電子學(xué)l核心——半導(dǎo)體器件l半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測(cè)試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕