半導(dǎo)體制造工藝第2章半導(dǎo)體制造工藝概況-文庫吧資料
2025-03-05 04:30本頁面
【正文】 工人的生產(chǎn)量也很高。20)Cluster(計算機集群 )工具變得非常普遍。18)DCVD:PE硅烷來實現(xiàn) PMD屏蔽氮化物、絕緣介質(zhì)的抗反射涂層和 PD氮化物的淀積。16)BPSG通常被用作 PMD(金屬前絕緣層 )。14)Ti作為 AlCu粘附層，能減小接觸電阻。12)鎢 CVD和 CMP(或反刻 )形成鎢塞，實現(xiàn)層和層之間的互連。10)用直流磁控濺射取代蒸發(fā)淀積金屬膜。8)采用立式氧化爐，能使硅片間距更小，更好地控制沾污。6)用等離子體刻蝕形成刻蝕圖形。4)多晶硅柵和采用鎢硅化合物和鈦硅化合物實現(xiàn)局部互連，減小了電阻并提高了器件速度。2)采用淺槽隔離技術(shù) (取代了局部氧化隔離技術(shù) )。許多因素都會影響器件的制作，包括襯底中的雜質(zhì)含量及缺陷密度、多層金屬化之后造成的表面起伏、光刻技術(shù)等。 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝 20世紀(jì) 90年代的 CMOS工藝技術(shù) 數(shù)字通信設(shè)備、個人計算機和互聯(lián)網(wǎng)有關(guān)的應(yīng)用推進了 CMOS工藝技術(shù)的發(fā)展。5)使用放大的掩膜版進行成像。3)采用蒸發(fā)的方法進行金屬層的淀積?！∑骷母綦x圖 25 淺槽隔離工藝示意圖 器件的隔離圖 2?6 寄生場氧化 MOSFET的示意圖 器件的隔離圖 27 CMOS工藝中的隔離技術(shù) 雙極型集成電路制造工藝圖 28 典型的雙極型晶體管基極和電阻相連的結(jié)構(gòu)示意圖 雙極型集成電路制造工藝表 21 雙極型集成電路的工藝過程 雙極型集成電路制造工藝表 21 雙極型集成電路的工藝過程 雙極型集成電路制造工藝表 21 雙極型集成電路的工藝過程 雙極型集成電路制造工藝表 21 雙極型集成電路的工藝過程 雙極型集成電路制造工藝
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