半導(dǎo)體制造工藝第2章半導(dǎo)體制造工藝概況(編輯修改稿)
2025-03-19 04:30 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝表 22 20世紀(jì) 80年代的 CMOS工藝流程 CMOS器件制造工藝 20世紀(jì) 90年代的 CMOS工藝技術(shù) 數(shù)字通信設(shè)備、個人計算機(jī)和互聯(lián)網(wǎng)有關(guān)的應(yīng)用推進(jìn)了 CMOS工藝技術(shù)的發(fā)展。特征尺寸從 0． 8μm到 0． 18μm，晶圓直徑從150mm到 300mm ，原有的制造工藝已無法實(shí)現(xiàn)如此小的特征尺寸圖形的制作。許多因素都會影響器件的制作，包括襯底中的雜質(zhì)含量及缺陷密度、多層金屬化之后造成的表面起伏、光刻技術(shù)等。 20世紀(jì) 90年代 CMOS工藝技術(shù)具有以下特點(diǎn)：1)器件制作在外延硅上 (這樣可以消除在 CZ法拉單晶過程中的 C、 O)。2)采用淺槽隔離技術(shù) (取代了局部氧化隔離技術(shù) )?！?CMOS器件制造工藝3)使用側(cè)墻隔離 (防止對源漏區(qū)進(jìn)行更大劑量注入時，源漏區(qū)的雜質(zhì)過于接近溝道以致可能發(fā)生源漏穿透 )，鈦硅化合物和側(cè)墻隔離解決了硅鋁氧化問題。4)多晶硅柵和采用鎢硅化合物和鈦硅化合物實(shí)現(xiàn)局部互連，減小了電阻并提高了器件速度。5)光刻技術(shù)方面使用 Gline(436nm)、 Iline(365nm)、深紫外線DUV(248nm)光源曝光，并使用分辨率高的正性光刻膠，用步進(jìn)曝光取代整體曝光。6)用等離子體刻蝕形成刻蝕圖形。7)濕法刻蝕用于覆蓋薄膜的去除。8)采用立式氧化爐，能使硅片間距更小，更好地控制沾污。 CMOS器件制造工藝9)采用快速熱處理系統(tǒng)對離子注入之后的硅片進(jìn)行退火處理及形成硅化物，能更快、更好地控制制造過程中的熱預(yù)算。10)用直流磁控濺射取代蒸發(fā)淀積金屬膜。11)采用多層金屬互連技術(shù)。12)鎢 CVD和 CMP(或反刻 )形成鎢塞，實(shí)現(xiàn)層和層之間的互連。13)Ti和 TiN成為鎢的阻擋層。14)Ti作為 AlCu粘附層，能減小接觸電阻。15)TiN抗反射涂層的應(yīng)用，可以減小光刻曝光時駐波和反射切口。16)BPSG通常被用作 PMD(金屬前絕緣層 )?！?CMOS器件制造工藝17)DCVD： PETEOS(采用等離子體增強(qiáng)正硅酸乙酯淀積二氧化硅 )和 O3TEOS(采用臭氧和正硅酸乙酯反應(yīng)淀積二氧化硅 )來實(shí)現(xiàn)淺槽隔離、側(cè)墻、 PMD和 IMD(金屬層間絕緣層 )的淀積。18)DCV
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