半導(dǎo)體制造工藝課件(ppt98頁)(編輯修改稿)
2025-03-19 12:21 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 為蒸汽原子，淀積在晶片上。按照能量來源的不同，有燈絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種l 濺射： 真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場作用下，氣體放電形成的離子被強電場加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上蒸發(fā)原理圖半導(dǎo)體工藝l 圖形轉(zhuǎn)換：l 光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻l 刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕l 摻雜：l 離子注入 退火l 擴散l 制膜：l 氧化：干氧氧化、濕氧氧化等l CVD： APCVD、 LPCVD、 PECVDl PVD：蒸發(fā)、濺射集成電路制造工藝集成電路制造工藝20世紀 60年代的典型工藝20世紀 70年代的典型工藝20世紀 80年代的典型工藝Nwell CMOS 工藝216。熱氧化生成 SiO2；216。第一次光刻：打開 N阱離子注入窗口；216。進行 N阱的離子注入與二次擴散；216?？涛g氧化物；1216。熱氧化生成 SiO2緩沖層；216。CVD淀積 Si3N4；216。第二次光刻：定義有效溝道區(qū)域；216。氮化硅刻蝕；216。氧化層刻蝕；2216。熱氧化生成場氧；216。氮化硅刻蝕；216。緩沖層刻蝕；216。清洗表面；216。閾值電壓調(diào)整的離子注入；216。柵氧生長；3216。CVD淀積 N+多晶硅柵；216。第三次光刻：形成多晶硅圖形，定義柵極；4216。第四次光刻：打開 N+區(qū)的離子注入窗口；216。磷注入；5216。光刻膠掩蔽條；216。第五次光刻： P+區(qū)離子注入；5216。光刻膠掩蔽條；216。CVD淀積 SiO2；216。離子注入退火；6216。第六次光刻：接觸孔刻蝕；7216。金屬 Al淀積；216。第七次光刻：生成金屬化圖形；8課程設(shè)計作業(yè)一課程設(shè)計作業(yè)一l 形成 N阱l 初始氧化l 淀積氮化硅層l 光刻 1版，定義出 N阱l 反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層l N阱離子注入，注磷l形成 P阱l 去掉光刻膠l 在 N阱區(qū)生長厚氧化層，其它區(qū)域被氮化硅層保護而不會被氧化l 去掉氮化硅層l P阱離子注入，注硼l 推阱l 去掉 N阱區(qū)的氧化層l 退火驅(qū)入l 形成場隔離區(qū)l 生長一層薄氧化層l 淀積一層氮化硅l 光刻場隔離區(qū)，非隔離區(qū)被光刻膠保護起來l 反應(yīng)離子刻蝕氮化硅l 場區(qū)離子注入l 熱生長厚的場氧化層l 去掉氮化硅層l 形成多晶硅柵l 生長柵氧化層l 淀積多晶硅l 光刻多晶硅柵l 刻蝕多晶硅柵l Salicide工藝l 淀積多晶硅、刻蝕并形成側(cè)壁氧化層；l 淀積 Ti或 Co等難熔金屬l RTP并選擇腐蝕側(cè)壁氧化層上的金屬；l 最后形成 Salicide結(jié)構(gòu)l 形成硅化物l 淀積氧化層l 反應(yīng)離子刻蝕氧化層，形成側(cè)壁氧化層l 淀積難熔金屬 Ti或 Co等l 低溫退火，形成 C47相的 TiSi2或 CoSil 去掉氧化層上的沒有發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的 Ti或 Col 高溫退火，形成低阻穩(wěn)定的 TiSi2或 CoSi2l 形成 N管源漏區(qū)l 光刻，利用光刻膠將 PMOS區(qū)保護起來l 離子注入磷或砷，形成 N管源漏區(qū)l 形成 P管源漏區(qū)l 光刻，利用光刻膠將 NMOS區(qū)保護起來l 離子注入硼，形成 P管源漏區(qū)l 形成接觸孔l 化學(xué)氣相淀積磷硅玻璃層l 退火和致密l 光刻接觸孔版l 反應(yīng)離子刻蝕磷硅玻璃，形成接觸孔l 形成第一層金屬l 淀積金屬鎢 (W)，形成鎢塞l 形成第一層金屬l 淀積金屬層，如 AlSi、 AlSiCu合金等l 光刻第一層金屬版，定義出連線圖形l 反應(yīng)離子刻蝕金屬層，形成互連圖形l 形成穿通接觸孔l 化學(xué)氣相淀積 PETEOSl 通過化學(xué)機械拋光進行平坦化l 光刻穿通接觸孔版l 反應(yīng)離子刻蝕絕緣層，形成穿通接觸孔l 形成第二層金屬l 淀積
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