半導體制造工藝之離子注入原理課件(編輯修改稿)
2025-03-19 12:18 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ?非晶靶 中注入離子的濃度分布17半導體制造工藝基礎(chǔ)第七章 離子注入原 理 (上 )?Rp?R?高斯分布RpLog（離子濃度）離子入射z注入離子的二維分布圖18半導體制造工藝基礎(chǔ)第七章 離子注入原 理 (上 )投影射程 Rp:Rp?Rp?R?Rp?Rp?R?Rp?Rp?R?19半導體制造工藝基礎(chǔ)第七章 離子注入原 理 (上 )注入離子的濃度分布在忽略橫向離散效應(yīng)和一級近似下，注入離子在靶內(nèi)的縱向濃度分布可近似取高斯函數(shù)形式200keV注入元素 原子質(zhì)量Sb122As74P31B11Cp20半導體制造工藝基礎(chǔ)第七章 離子注入原 理 (上 )Q：為離子注入劑量（ Dose） ,單位為 ions/cm2，可以從測量積分束流得到由 ， 可以得到：?21半導體制造工藝基礎(chǔ)第七章 離子注入原 理 (上 )Q可以精確控制 A為注入面積， I為硅片背面搜集到的束流（ FaradyCup）， t為積分時間， q為離子所帶的電荷。例如：當 A＝ 2020cm2， I＝ mA時，而對于一般 NMOS的 VT調(diào)節(jié)的劑量為： B＋ 151012cm2注入時間為 ~30分鐘對比一下：如果采用預淀積擴散（ 1000?C），表面濃度為固溶度 1020cm3時，D～ 1014cm2/s 每秒劑量達 1013/cm2I＝ mA～ mA22半導體制造工藝基礎(chǔ)第七章 離子注入原 理 (上 )常用注入離子在不同注入能量下的特性平均投影射程 Rp標準偏差 ?Rp23半導體制造工藝基礎(chǔ)第七章 離子注入原 理 (上 )已知注入離子的能量和劑量，估算注入離子在靶中的 濃度和結(jié)深問題： 140keV的 B+離子注入到直徑為 150mm的硅靶中。注入 劑量 Q=51014/cm2（襯底濃度 21016/cm3）1)試估算注入離子的投影射程，投影射程標準偏差、峰 值濃度、結(jié)深2)如注入時間為 1分鐘，估算所需束流。24半導體制造工藝基礎(chǔ)第七章 離子注入原 理 (上 )【解】 1)從查圖或查表 得Rp=4289197。=mm?Rp=855 197。= mm峰值濃度Cp=?Rp=51014/(104)=1019cm3襯底濃度 CB＝ 21016cm31
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